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大家都知道，小米的創(chuàng)始人雷軍曾經(jīng)說過將來芯片的價(jià)格會(huì)變成沙子價(jià)，主要原因就取決于實(shí)際上芯片就是由沙子制作出來的，當(dāng)然沙子變成芯片這個(gè)過程還是很復(fù)雜的和有科技含量的。

那么問題就來了，沙子到底是怎樣變成芯片的?再充分考慮現(xiàn)階段中國(guó)在芯片領(lǐng)域相對(duì)落后的情況，因此從沙子變?yōu)樾酒倪^程中，中國(guó)的技術(shù)關(guān)鍵卡在什么步驟上邊?

最先說說沙子是怎樣變?yōu)樾酒模@一過程一共有4步：

1、沙子的提純和處理

生產(chǎn)制造芯片的原材料主要是硅，而沙子是硅的關(guān)鍵原材料，因此第一步便是把沙子中的硅提純，要提純到99 .9999999 %，只有達(dá)到9個(gè)9的純度才可以滿足芯片制造。

而提純后的硅是一坨一坨 的，我們稱之為硅錠，此刻要把它變?yōu)楣璋?，變?yōu)橐桓桓墓璋簦偾谐梢黄黄?，最后形成?a class="keylinka" href="http://www.a3766.cn/news/s-%E6%99%B6%E5%9C%86-0-1.html" target="_blank">晶圓片，然后再打磨拋光，那么沙子的提純和處理就完成了，從此再也看不出來是沙子了。

2、光刻和刻蝕

這一步關(guān)鍵用在光刻機(jī)和刻蝕機(jī)，首先把硅晶圓片放進(jìn)燒爐，在硅晶圓片表層產(chǎn)生一層均勻的氧化膜，隨后再涂上光刻膠。用光刻機(jī)通過光罩把芯片設(shè)計(jì)電路圖投射到涂了光刻膠的硅晶圓上，因此形成了電路圖。

再用刻蝕機(jī)把這個(gè)投射出來的電路圖腐蝕掉 ，接著露出硅基底，從而形成了電路的模樣。此刻硅晶圓上是凹凸不平的。

3、等離子注入、鍍銅

接下來的步驟便是把等離子注入了，把凹凸不平的電路圖灌滿等離子，隨后再通過熱處理，將這種等離子穩(wěn)定后，這樣就形成了構(gòu)成芯片的幾十上百億的晶體管了。

而晶體管是相連接的，此刻要開展鍍銅了，在硅晶圓上面均勻鍍上一層銅，隨后再通過打磨、光刻、刻蝕等流程，把銅切成一條一條的細(xì)線，連接好所有的晶體管后，就真正形成電路圖。

4、封裝、測(cè)試

由于芯片有很多層電路，2跟3的步驟僅僅只是一層電路而已，因此整個(gè)2跟3的流程 會(huì)重復(fù)很多遍，是多少層就會(huì)重復(fù)多少遍，最終變成加工好的硅晶圓片。

生產(chǎn)加工好以后便是切成一塊一塊的晶圓，再開展檢測(cè)、封裝，就變成了一塊可安裝 到機(jī)器設(shè)備中的芯片了。

以上就是芯片的簡(jiǎn)單的制作過程，當(dāng)然實(shí)際的過程肯定會(huì)復(fù)雜特別多，但基本原理大部分就是這樣了。而我國(guó)的芯片水平落后，主要體現(xiàn)在1、2、3這三個(gè)階段，第4個(gè)階段差距不大，甚至還有一點(diǎn)小領(lǐng)先。

第一個(gè)階段主要卡在提純上邊，要想把沙子提純到9個(gè)9，我國(guó)的技術(shù)水平還達(dá)不到這個(gè)要求，硅晶圓片生產(chǎn)能力十分有限，大部分硅晶圓片還是從日本進(jìn)口的。

第2個(gè)階段卡在光刻機(jī)上邊，主要卡在技術(shù)上邊，一是我國(guó)的光刻機(jī)水平相對(duì)還是比較落后，只能用在90 nm 的芯片生產(chǎn)制造，ASML的可用在5nm，二是技術(shù)上邊，我國(guó)還拿下高工藝的芯片。而第3個(gè)階段主要是光刻這個(gè)過程，我國(guó)的機(jī)器設(shè)備還達(dá)不到要求，暫時(shí)只能依靠國(guó)外的硅晶圓片設(shè)備。