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2019年全球半導(dǎo)體的不景氣現(xiàn)象被產(chǎn)業(yè)界譽(yù)為“下行之年”，例如有受全球貿(mào)易波動(dòng)、半導(dǎo)體元器件產(chǎn)品價(jià)格下滑、智能手機(jī)市場(chǎng)逐漸飽和等因素影響，全球半導(dǎo)體行業(yè)增速放慢，但進(jìn)入二十一世紀(jì)二十年代后將會(huì)出現(xiàn)轉(zhuǎn)機(jī)，在全新化合物半導(dǎo)體供應(yīng)鏈的驅(qū)動(dòng)下，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)可迎來全新的發(fā)展周期。

據(jù)數(shù)據(jù)顯示，化合物半導(dǎo)體2019年全球的產(chǎn)值約為370億美元，約占整體半導(dǎo)體4500億美元產(chǎn)值的8%，這其中就包括了LED照明、微波功率放大器(PA)、高功率半導(dǎo)體元件等。由于5G網(wǎng)絡(luò)通信、3D人臉識(shí)別、激光雷達(dá)傳感器、電動(dòng)車、物聯(lián)網(wǎng)、智能應(yīng)用以及終端顯示屏Micro LED的推波助瀾之下，未來化合物半導(dǎo)體每年的成長(zhǎng)率將在8%至10%，高于整體產(chǎn)業(yè)的平均值，所以化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)是一個(gè)值得重視的成長(zhǎng)領(lǐng)域。

日前，日本NTT集團(tuán)旗下的實(shí)驗(yàn)室研發(fā)了磷化錮(InP)化合物半導(dǎo)體制造的6G超高速芯片。據(jù)悉，該芯片在高速率表現(xiàn)中，僅以單一載波完成，意味著未來持續(xù)增加載波聚合數(shù)量的話，將能實(shí)現(xiàn)更高的傳輸速度，借此讓6G網(wǎng)絡(luò)傳輸速度與可使用頻寬可達(dá)5G網(wǎng)絡(luò)的40倍以上。當(dāng)然，目前仍是從普及5G服務(wù)的層面出發(fā)，關(guān)于6G更多只是愿景階段，畢竟各國(guó)對(duì)于5G之后的6G是什么樣子都沒摸清楚。

由此可見，化合物半導(dǎo)體是當(dāng)今推動(dòng)人類網(wǎng)絡(luò)通信技術(shù)進(jìn)步的關(guān)鍵基礎(chǔ)，化合物半導(dǎo)體一般包括有砷化鎵(GaAs)、氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)等，這些材料具有獨(dú)特的特征，能夠在網(wǎng)絡(luò)通信和功率器件市場(chǎng)擁有無可比擬的優(yōu)勢(shì)，也會(huì)被越來越多的器件和產(chǎn)品所采用。

對(duì)此，國(guó)內(nèi)亦都有半導(dǎo)體廠商在化合物半導(dǎo)體領(lǐng)域布局生產(chǎn)，其中包括有士蘭微、三安光電、中芯晶研等多個(gè)企業(yè)。

日前，士蘭微旗下的化合物半導(dǎo)體生產(chǎn)線項(xiàng)目主體廠房即將進(jìn)入竣工驗(yàn)收階段，砷化鎵與氮化鎵芯片產(chǎn)品都正式通線點(diǎn)亮。據(jù)資料顯示，項(xiàng)目總投資50億元，規(guī)劃建設(shè)兩條12英寸90~65nm的特色工藝芯片生產(chǎn)線和一條4/6英寸兼容先進(jìn)化合物半導(dǎo)體器件生產(chǎn)線。主要產(chǎn)品包括下一代光通訊模塊芯片、5G與射頻相關(guān)模塊、高端LED芯片等產(chǎn)品。

三安光電方面，作為國(guó)內(nèi)化合物半導(dǎo)體晶圓代工的龍頭企業(yè)，早在2014年5月起，就正式涉足該領(lǐng)域，并同期實(shí)施建設(shè)30萬片/年砷化鎵(GaAs)和 6 萬片/年氮化鎵(GaN) 外延片生產(chǎn)線。

由于這些廠商過往都有LED芯片相關(guān)的產(chǎn)品經(jīng)驗(yàn)，所以能夠使投資者對(duì)其在化合物半導(dǎo)體的市場(chǎng)開拓提供信心支撐。

另外，再結(jié)合中美貿(mào)易戰(zhàn)的情況來看，一旦上游供應(yīng)鏈禁售，就能讓國(guó)內(nèi)相關(guān)市場(chǎng)發(fā)展受到嚴(yán)重?fù)p傷，特別是目前化合物方面仍缺乏補(bǔ)充的狀態(tài)下，所以盡力發(fā)展本土供應(yīng)鏈已經(jīng)成為迫在眉睫的事情。