進擊汽車領(lǐng)域 PI在碳化硅功率器件應(yīng)用優(yōu)勢顯著
2019-11-22 16:35:30 來源:嗶哥嗶特商務(wù)網(wǎng) 點擊:9690
相比一代半導(dǎo)體,碳化硅等第三代半導(dǎo)體更加適應(yīng)未來市場應(yīng)用的需求,其優(yōu)勢有耐高溫、抗輻射性能好、制作工藝方便且穩(wěn)定,可以說它是在半導(dǎo)體新材料中“一枝獨秀”的存在。另一方面,據(jù)研究機構(gòu)IHS預(yù)測,在未來的10年內(nèi),碳化硅器件將開始大范圍地應(yīng)用于工業(yè)及電動汽車領(lǐng)域,到2025年碳化硅功率半導(dǎo)體的市場規(guī)模有望達到30億美元。
為了使功率器件技術(shù)驅(qū)動和相關(guān)解決方案的普及,在11月8日的“第七屆(上海)新能源汽車電驅(qū)動與BMS技術(shù)研討會” 上,Power Integrations的區(qū)域大功率市場應(yīng)用工程師王強先生出席并演講了《《汽車應(yīng)用領(lǐng)域基于SCALE-iDriver™的碳化硅開關(guān)器件驅(qū)動方案》主題。
PI區(qū)域大功率市場應(yīng)用工程師王強
在本次演講中,王強先生主要針對目前汽車環(huán)境中,碳化硅器件在驅(qū)動電路面臨的問題和一個基于Flux
王強先生首先介紹了PI目前針對電動汽車而開發(fā)兩款車規(guī)級驅(qū)動芯片產(chǎn)品,名為SIC118XKQ和SIC1182KQ。他表示,目前兩款驅(qū)動芯片是采用PI自有的一種持有和雙向通信的技術(shù),能保證信號可靠傳輸,另外它還具有完善的保護功能,能針對短路翻墻的太快過壓保護,這種保護是基于控制關(guān)斷的DMDT抑制電壓尖峰。
當(dāng)談及到驅(qū)動芯片時,現(xiàn)場觀眾一般都有兩大關(guān)注點,一是封裝,二是信號傳輸機制。面對現(xiàn)場觀眾的疑惑時,王強繼續(xù)說道:“即使在強磁場強電場的情況下,PI的封裝技術(shù)能將終端外形緣邊和副邊電氣間隙以及爬電距離做到大于9.5mm,所采用的材料達到最高級CTI 600,信號傳輸可靠突出則是依賴一項革新性Flux
此外,SCALE-2 AAC IGBT關(guān)斷控制會降低碳化硅的關(guān)斷速度,特別是短路時,VCE會高于直流母線電壓,導(dǎo)致TVS網(wǎng)絡(luò)擊穿,從而Iac向門極提供電流,增大Iac3(通過ACL引腳)會增加T2的阻抗并減小Iac1,但這需要一定的時間增加門極電阻可減小電壓尖峰,而且在正常工作期間會增加SiC-MOSFET的開關(guān)損耗,所以為提高AAC性能,設(shè)計者只能犧牲開關(guān)效率!
總的來說“SiC高級有源鉗位功能”在應(yīng)用中,為了應(yīng)對短路場景不得不增大驅(qū)動電阻,但此舉的后果是,正常工作狀態(tài)下,開關(guān)損耗偏高;而SIC118XKQ可優(yōu)化門極電阻,最大程度減小開關(guān)損耗,并提高短路關(guān)斷可靠性,這樣的話門極電阻數(shù)值不再影響有源鉗位性能,VEE穩(wěn)壓器及門極鉗位就能減小短路電流,短路響應(yīng)時間<2 µs。
研討會期間,王強就碳化硅開關(guān)器件等話題和與會工程師進行積極的問答互動,并深入介紹了PI公司產(chǎn)品細(xì)節(jié)和技術(shù)特點。
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