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　　正如人們所料，SanDisk公司近日宣布將開始與東芝合作，在位于日本名古屋附近四日市的300mm晶圓廠Fab3生產(chǎn)56納米多層單元閃存。 

　　SanDisk和東芝原本是想推出52納米NAND產(chǎn)品的，但由于該技術(shù)的復(fù)雜性，轉(zhuǎn)向了56納米技術(shù)。 

　　在測(cè)試通過了幾款樣品后，SanDisk將于接下來的幾周時(shí)間里推出采用56納米制程技術(shù)的新型8G單芯片MLC NAND閃存，而正式供貨則將從本季度晚期開始。在第二季度，SanDisk則將推出單片16GNAND——業(yè)界密度最大的單芯片MLC NAND閃存。另外SanDisk還銷售基于這一技術(shù)的閃存卡。 

　　東芝Fab3所生產(chǎn)的產(chǎn)品是由SanDisk和東芝平分的。這款新的56納米閃存最初也將在Fab3開始生產(chǎn)，這是SanDisk和東芝在2005年建立的第一個(gè)300mm晶圓廠。 

　　到今年年底，SanDisk和東芝合建的另一家300mm晶圓廠Flash Alliance公司也將開始生產(chǎn)56納米閃存設(shè)備。