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IR面向電腦電源適配器推出HEXFET MOSFET系列產(chǎn)品

2006-07-24 09:19:41 來(lái)源：電源網(wǎng)

    國(guó)際整流器公司(International Rectifier，IR)日前推出全新組件，拓展其為適用于服務(wù)器、筆記本計(jì)算機(jī)適配器和臺(tái)式計(jì)算機(jī)電源供應(yīng)的AC-DC同步整流而設(shè)計(jì)的60V及75V HEXFET MOSFET系列。此外，新產(chǎn)品亦適用于DC-DC和低電壓馬達(dá)驅(qū)動(dòng)器。

    業(yè)界不斷努力提升功率密度及數(shù)據(jù)處理電路的速度，使電源供應(yīng)對(duì)高密度的要求有所增加。嶄新的IRFB/S/SL3206、3306、3207Z及3307Z MOSFET系列通過改善AC-DC SMPS應(yīng)用的RDS (on)，提供卓越的同步整流表現(xiàn)，相比先前的業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)，更同時(shí)把RDS (on)調(diào)低多達(dá)10%，使功率密度得以提升。

    IR臺(tái)灣分公司總經(jīng)理朱文義表示：“隨著微型處理的速度變得更快，對(duì)功率需求更高，IR全新的同步整流MOSFET讓更具效率、功率密度也更大的AC-DC SMPS能降低傳導(dǎo)損耗?！?nbsp;

    新的75V組件最大RDS (on)由4.1m Ohms至5.8m Ohms。新產(chǎn)品分別有TO-220、D2Pak及TO-262封裝，符合工業(yè)級(jí)和第一級(jí)濕度感應(yīng)度(MSL1)要求。IR的封裝選擇為原有設(shè)計(jì)提供簡(jiǎn)易的性能升級(jí)路徑。各種封裝都不含鉛，并為協(xié)助客戶符合最新SMPS方案的有害物質(zhì)管制規(guī)定(RoHS)指引而設(shè)計(jì)，卻毋須在表現(xiàn)方面作出妥協(xié)。

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MOSFET系列產(chǎn)品

更小、更快、更酷、更高效，900V SiC MOSFET在PFC中的應(yīng)用

Wolfspeed (原CREE Power產(chǎn)品)推出業(yè)界首款900V SiC MOSFET系列產(chǎn)品，拓展了高頻電力電子應(yīng)用的范圍。相比于相當(dāng)于硅MOSFET，這一突破900V SiC使我們的產(chǎn)品的新市場(chǎng)通過擴(kuò)大我們?cè)诮K端系統(tǒng)解決功率范圍。
針對(duì)AC-DC電源應(yīng)用，飛兆半導(dǎo)體推新高壓MOSFET

服務(wù)器、電信、計(jì)算等高端的AC-DC開關(guān)模式電源(SMPS)應(yīng)用以及工業(yè)電源應(yīng)用需要較高的功率密度，因此要獲得成功，設(shè)計(jì)人員需要采用占據(jù)更小電路板空間并能提高穩(wěn)定性的高性價(jià)比解決方案。飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor)推出600V N溝道SuperFET II MOSFET系列產(chǎn)品，幫助設(shè)計(jì)人員解決這些挑戰(zhàn)。
飛兆半導(dǎo)體的高壓MOSFET針對(duì)AC-DC電源應(yīng)用提供業(yè)界領(lǐng)先的高可靠性體二極管性能

飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor)推出600V N溝道SuperFET® II MOSFET系列產(chǎn)品，幫助設(shè)計(jì)人員解決這些挑戰(zhàn)。
ST發(fā)布先進(jìn)功率MOSFET系列產(chǎn)品

橫跨多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體供應(yīng)商意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics，簡(jiǎn)稱ST;紐約證券交易所代碼：STM)推出最新系列高可靠性、高能效的功率晶體管，助力技術(shù)型企業(yè)滿足日益嚴(yán)格的生態(tài)設(shè)計(jì)標(biāo)準(zhǔn)對(duì)功率和能效的要求，瞄準(zhǔn)太陽(yáng)能微逆變器、光伏模塊串逆變器和電動(dòng)汽車等綠色能源應(yīng)用。
IR 推出采用 TSOP-6 封裝的 HEXFET MOSFET 系列產(chǎn)品，為低功率應(yīng)用提供靈活、高性價(jià)比的解決方案

全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商 – 國(guó)際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱IR) 推出一系列采用TSOP-6封裝、搭載IR最新低壓HEXFET MOSFET硅技術(shù)的器件，適用于電池保護(hù)與逆變器開關(guān)中的負(fù)載開關(guān)、充電和放電開關(guān)等低功率應(yīng)用。
瑞薩電子宣布推出低功耗P通道MOSFET，可提高筆記本電池的功率效率

2012年2月16日，瑞薩電子株式會(huì)社今天宣布推出包含五款低功耗P通道功率金屬氧化半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)系列產(chǎn)品，包括用于筆記本電腦中鋰離子(Li-ion)二級(jí)電池的充電控制開關(guān)和與AC適配器進(jìn)行電源轉(zhuǎn)換的電源管理開關(guān)等用途進(jìn)行最佳化的µPA2812T1L。

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