3個(gè)角度分析基于COB技術(shù)的LED的散熱性能
2015-11-17 09:47:31 來源:廣東LED
本文重點(diǎn)從封裝角度對LED的散熱性能進(jìn)行熱分析,并進(jìn)行熱設(shè)計(jì)。采用COB技術(shù),直接將LED芯片封裝在鋁基板上,縮短了熱通道和熱傳導(dǎo)的距離,從而降低了LED的結(jié)溫,設(shè)計(jì)出一種基于COB技術(shù)的LED。分析其等效熱阻網(wǎng)絡(luò),比較不同封裝方法對整個(gè)LED器件散熱性能的影響,并進(jìn)行紅外熱像圖分析。
引言
LED器件在工作中的功率損耗通常以熱能耗散的形式表現(xiàn),任何具有電阻的部分都成為一個(gè)內(nèi)部熱源,導(dǎo)致熱密度急劇上升,于是器件本身溫度也隨之上升,同時(shí)周圍的環(huán)境溫度也會影響內(nèi)部溫度,從而影響到LED的可靠性、性能和壽命。研究表明,隨著溫度的增長,芯片失效率有增長的趨勢,因此對LED封裝時(shí)進(jìn)行可靠的熱設(shè)計(jì),實(shí)施有效的熱控制措施是提高其可靠性的關(guān)鍵。
在電子行業(yè),器件環(huán)境溫度每升高10℃時(shí),往往其失效率會增加一個(gè)數(shù)量級,這就是所謂的“10℃法則”。當(dāng)前采用的方法大多是從電路板的材料考慮,選用一些熱導(dǎo)率高、穩(wěn)定的材料,如銅、鋁、陶瓷等。但僅僅通過電路板來改善散熱問題是不夠的,還要通過其他熱設(shè)計(jì)的方法來提高LED的散熱性能。
散熱技術(shù)
任何電子器件及電路都不可避免地伴隨有熱量的產(chǎn)生,而要提高其可靠性以及性能,則必須使熱量達(dá)到最小程度,采用適當(dāng)?shù)纳峒夹g(shù)就成為了關(guān)鍵。
物質(zhì)本身或當(dāng)物質(zhì)與物質(zhì)接觸時(shí),能量的傳遞就被稱為熱傳導(dǎo),這是最普遍的一種熱傳遞方式,由能量較低的粒子和能量較高的粒子直接接觸碰撞來傳遞能量。相對而言,熱傳導(dǎo)方式局限于固體和液體,因?yàn)闅怏w的分子構(gòu)成并不是很緊密,它們之間能量的傳遞被稱為熱擴(kuò)散。
熱傳導(dǎo)的基本公式為:
Q=K×A×ΔT/ΔL (1)
其中Q代表為熱量,也就是熱傳導(dǎo)所產(chǎn)生或傳導(dǎo)的熱量;K為材料的熱傳導(dǎo)系數(shù),熱傳導(dǎo)系數(shù)類似比熱,但又與比熱有一些差別,熱傳導(dǎo)系數(shù)與比熱成反比,熱傳導(dǎo)系數(shù)越高,其比熱的數(shù)值也就越低。舉例說明,純銅的熱傳導(dǎo)系數(shù)為396.4,而其比熱則為0.39;公式中A代表傳熱的面積(或是兩物體的接觸面積),ΔT代表兩端的溫度差;ΔL則是兩端的距離。因此,從公式中我們就可以發(fā)現(xiàn),熱量傳遞的大小同熱傳導(dǎo)系數(shù)、傳熱面積成正比,同距離成反比。熱傳遞系數(shù)越高、熱傳遞面積越大,傳輸?shù)木嚯x越短,那么熱傳導(dǎo)的能量就越高,也就越容易帶走熱量。
LED的散熱性能和封裝
LED作為一代新光源,逐步應(yīng)用到普通照明中來,其最基本的光學(xué)要求即光通量,目前提高LED光通量有兩種方式,分別為增加芯片亮度以及多顆密集排列等方式,這些方法都需輸入更高功率的能量,而輸入LED的能量,只有少部分會轉(zhuǎn)換成光源,大部分都轉(zhuǎn)成熱能,在單顆封裝內(nèi)送入倍增的電流,發(fā)熱自然也會倍增,因此在如此小的散熱面積下,散熱問題會逐漸惡化。
與傳統(tǒng)光源一樣,LED在工作期間也會產(chǎn)生熱量,其多少取決于整體的發(fā)光效率。在外加電能量作用下,電子和空穴的輻射復(fù)合發(fā)生電致發(fā)光,在PN結(jié)附近輻射出來的光還需經(jīng)過LED芯片本身的半導(dǎo)體介質(zhì)和封裝介質(zhì)才能抵達(dá)外界。綜合電流注入效率、輻射發(fā)光量子效率、晶片外部出光效率等,最終大概只有30%~40%的輸入電能轉(zhuǎn)化為光能,其余60%~70%的能量主要以非輻射復(fù)合發(fā)生的點(diǎn)陣振動的形式轉(zhuǎn)化成熱能。而LED芯片溫度的升高,則會增強(qiáng)非輻射復(fù)合,進(jìn)一步削弱發(fā)光效率,并且縮短壽命。LED燈所采用的散熱技術(shù)必須能夠有效降低發(fā)光二級管PN結(jié)到環(huán)境的熱阻,才能盡可能降低LED的PN結(jié)溫度來提高LED燈的壽命。
圖1所示為在工作電流恒定的條件下,Lumidleds1W LED的光衰與結(jié)溫的關(guān)系曲線,可見結(jié)溫越高,光通量衰減越快,壽命也就越短。
3.1 LED的散熱
LED的散熱性能參數(shù)主要是指結(jié)溫和熱阻。LED的結(jié)溫是指PN結(jié)的溫度,LED的熱阻一般是指PN結(jié)到外殼表面之間的熱阻。結(jié)溫是直接影響LED工作性能的參數(shù),熱阻則是表示LED散熱性能好壞的參數(shù)。熱阻越小,LED的熱量越容易從PN結(jié)傳導(dǎo)出來,LED的結(jié)溫越低,LED的持續(xù)光效越高,壽命也越長。
當(dāng)LED的PN結(jié)溫度升高時(shí),會導(dǎo)致LED的正向?qū)▔航禍p小,意味著一旦回路中的LED出現(xiàn)過度溫升,PN結(jié)對此的響應(yīng)會使LED的溫度進(jìn)一步升高,如果LED芯片的溫度超過一定值,整個(gè)LED器件就會損壞,這一溫度值即臨界溫度。不同封裝材料的LED的臨界溫度不同,即使是同一材料,封裝工藝等因素也會影響臨界溫度。與傳統(tǒng)光源不同的是,印制電路板既是LED的供電載體,同時(shí)也是散熱載體。因此,印制電路板的散熱設(shè)計(jì)(包括焊盤設(shè)置、布線和鍍層等)對LED的散熱性能尤為重要。
3.2 封裝工藝對散熱性能的影響
目前市場上對LED芯片的封裝以單顆封裝為主,單顆封裝如僅應(yīng)用在1~4顆LED散光燈,散光燈點(diǎn)亮?xí)r間短暫,故熱累積現(xiàn)象不明顯。如應(yīng)用在日光燈上,要緊密排列并較長時(shí)間點(diǎn)亮,因此在有限的散熱空間內(nèi)難以及時(shí)地將這些熱排除于外。
LED芯片的特點(diǎn)是在極小的體積內(nèi)產(chǎn)生極高的熱量。而LED本身的熱容量很小,所以必須以最快的速度把這些熱量傳導(dǎo)出去,否則就會產(chǎn)生很高的結(jié)溫。
雖然LED芯片架構(gòu)與原物料是影響LED熱阻大小的因素之一,減少LED本身的熱阻是先期條件,但畢竟對改善散熱能力影響有限,所以通過選擇適當(dāng)?shù)腖ED封裝工藝技術(shù)成為對LED進(jìn)行散熱設(shè)計(jì)的主要方法。表1列出的是市場上常見的幾種不同封裝工藝LED的熱阻。
可見采用COB技術(shù)封裝的LED相比于其他封裝工藝熱阻最小。
3.3 材料對散熱性能的影響
封裝工藝確定后,通過選取不同的材料進(jìn)一步降低LED器件的熱阻,提高LED的散熱性能。目前國內(nèi)外常針對基板材料、粘結(jié)材料和封裝材料進(jìn)行擇優(yōu)選擇。
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本文重點(diǎn)從封裝角度對LED的散熱性能進(jìn)行熱分析,并進(jìn)行熱設(shè)計(jì)。采用COB技術(shù),直接將LED芯片封裝在鋁基板上,縮短了熱通道和熱傳導(dǎo)的距離,從而降低了LED的結(jié)溫,設(shè)計(jì)出一種基于COB技術(shù)的LED。分析其等效熱阻網(wǎng)絡(luò),比較不同封裝方法對整個(gè)LED器件散熱性能的影響,并進(jìn)行紅外熱像圖分析。
在芯片環(huán)節(jié),中國LED芯片領(lǐng)域市場已達(dá)到較高的市場集中度,從產(chǎn)能分布來看,2018年國內(nèi)前五名LED芯片廠商占據(jù)了超過70%的市場份額,預(yù)計(jì)未來一兩年行業(yè)集中度將進(jìn)一步提高,前五名市場份額將達(dá)80%。
王婷(Wang Ting)表示,由于中國制造的MOCVD機(jī)器數(shù)量龐大,加上地方政府補(bǔ)貼的幫助,中國的發(fā)光二極管芯片產(chǎn)能持續(xù)增長,導(dǎo)致發(fā)光二極管芯片價(jià)格陷入惡性競爭。尤其是在照明用led芯片市場,制造商幾乎很難盈利。
24日,臺灣LED芯片龍頭企業(yè)晶電宣布集團(tuán)運(yùn)營策略發(fā)生改變,將根據(jù)業(yè)務(wù)情況分拆為3家公司,晶電總經(jīng)理周銘俊表示,預(yù)計(jì)年底前完成分拆重組任務(wù)。這是晶電成立21年以來,首次提出分拆計(jì)劃。晶電2.0時(shí)代晶電董事長李秉杰表示,目前分拆公司的...
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