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目前市場上單繞組非隔離方案為芯片供電主要有兩種方式：一、通過線電壓直接為芯片供電。二、采用浮地架構，通過負載為芯片供電，以上兩種供電方式都會有較大的供電損耗。用第一種供電方式的芯片做全電壓輸入的方案，在高壓下供電電阻上的損耗不容小視。而第二種供電方式除了會增加芯片的應用成本外，當輸出電壓較高時供電損耗也不低。這兩種供電方式均或多或少的有關機回閃的問題，增大了應用工程師的調試難度。而UR5403T在真正意義上解決了單繞組芯片供電的難題。

該驅動芯片支持輸入電壓VIN 180V~270V ，輸出范圍：50~150V 輸出電流：84mA±2%,以及±2%的負載以及線電壓調整率。

為提高系統效率，UR5403T采用真正的谷底開啟。極大地降低了MOS管開通時寄生電容COSS 帶來的損耗。同時，它還解決了系統OVP的問題。目前單繞組方案的OVP 也有兩種解決辦法。

1)浮地設計，直接檢測負載輸出電壓;

2)采用固定TOFF 時間檢測負載電壓;

對于第一種方案，可以很好地檢測輸出過壓，但會增加應用成本。而第二種方案中，TOFF設定腳是一個高阻抗腳，系統的開關信號會干擾到這個腳。相信許多工程師在量產的時候總會發(fā)現有那么一些片子的OVP不正常。這是合理的，因此之前的IC原廠沒有認真考量這個問題。而UR5403T 通過專利的電路技術，克服了這個困難。

目前市場上的大多方案均采用源極驅動。源極驅動的好處是芯片耗電量少。缺點是由于控制芯片有個低壓MOS管與高壓MOS串聯，會增大系統的損耗。也就是封裝同樣的MOS管，柵極驅動的MOS管開通損耗要低于源極驅動。

【電路圖】

【物料清單】

【測試數據】

【實物圖】