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用于LED街燈照明系統(tǒng)的高效率高可靠性電源設(shè)計(jì)
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用于LED街燈照明系統(tǒng)的高效率高可靠性電源設(shè)計(jì)

2014-01-03 10:26:49 來源:http://ic.big-bit.com/

諧振轉(zhuǎn)換器是這種應(yīng)用場合中最流行的電源拓?fù)渲?,因?yàn)榕c以往的電源拓?fù)湎啾?,諧振轉(zhuǎn)換器可以提高功效并降低EMI。軟開關(guān)是諧振轉(zhuǎn)換器的一個(gè)重要特性。不過使用諧振轉(zhuǎn)換器中的體二極管有時(shí)會(huì)導(dǎo)致系統(tǒng)故障。體二極管中存儲(chǔ)的電荷應(yīng)完全釋放,以避免產(chǎn)生大電流和電壓尖峰,包括這些拓?fù)渲泻芨叩膁v/dt和di/dt。因此,功率MOSFET的關(guān)鍵參數(shù)(如Qrr)和反向恢復(fù)dv/dt將直接影響諧振轉(zhuǎn)換器的動(dòng)態(tài)性能。本文將要討論的是用于LED街燈照明的開關(guān)電源的總體解決方案。新的諧振控制器與新的功率開關(guān)組合在一起可以為$LED照明電源提供高效解決方案,同時(shí)又不會(huì)降低轉(zhuǎn)換器的魯棒性和成本效益。

利用諧振轉(zhuǎn)換器實(shí)現(xiàn)高效率

有多種$DC/DC電源轉(zhuǎn)換拓?fù)淇梢杂脕斫档烷_關(guān)損耗、功率MOSFET上的器件應(yīng)力和射頻干擾(RFI),同時(shí)實(shí)現(xiàn)很高的功率密度。在這些拓?fù)渲校褂肕OSFET的體二極管實(shí)現(xiàn)零電壓開關(guān)的諧振轉(zhuǎn)換器,可以實(shí)現(xiàn)更高的效率。特別是LLC諧振轉(zhuǎn)換器,它可以在高輸入電壓和次級整流器上的低電壓應(yīng)力狀態(tài)下獲得高效率,這是因?yàn)榇渭墰]有電感。另外,LLC諧振轉(zhuǎn)換器在沒有負(fù)載的條件下也能保證零電壓開關(guān)(ZVS)。零電壓開關(guān)技術(shù)能夠顯著降低開關(guān)損耗,同時(shí)大幅提高效率。此外,零電壓開關(guān)還能有效降低開關(guān)噪聲,從而允許使用小尺寸的電磁干擾濾波器。

由于具有這些獨(dú)特的性能,LLC諧振轉(zhuǎn)換器正在成為包括LED街燈照明在內(nèi)的許多應(yīng)用的流行拓?fù)?。FAN7621S提供了構(gòu)建可靠、耐用的LLC諧振轉(zhuǎn)換器所必需的一切條件。該器件包含了高壓側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)電路、精確的電流控制振蕩器、頻率限制電路、軟啟動(dòng)和內(nèi)置保護(hù)功能,因此可以簡化設(shè)計(jì)、提高產(chǎn)能。

FAN7621S具有多種保護(hù)功能,如過壓和過流保護(hù)(OVP/OCP)、異常過流保護(hù)(AOCP)和內(nèi)部熱關(guān)斷(TSD)。鑒于LED街燈照明系統(tǒng)的特殊應(yīng)用要求,所有保護(hù)都具有自啟動(dòng)特性。高壓側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)電路具有共模噪聲抵消功能,這種優(yōu)秀的抗噪聲能力能夠保證系統(tǒng)穩(wěn)定工作。在輸出短路狀態(tài)時(shí),最新$諧振轉(zhuǎn)換器的工作點(diǎn)還可以移動(dòng)到零電流開關(guān)(ZCS)區(qū)域。圖1顯示了工作點(diǎn)是如何移動(dòng)的。在這種情況下,零電壓開關(guān)不再有效,MOSFET將傳導(dǎo)特別大的電流。零電流開關(guān)工作的最大缺點(diǎn)是導(dǎo)通點(diǎn)發(fā)生硬開關(guān),這將導(dǎo)致MOSFET體二極管產(chǎn)生反向恢復(fù)應(yīng)力。

體二極管在很大的dv/dt時(shí)會(huì)關(guān)斷,從而產(chǎn)生一個(gè)高的反向恢復(fù)電流尖峰。這些尖峰要比穩(wěn)定狀態(tài)的電流幅度高出10倍。如此大的電流會(huì)導(dǎo)致?lián)p耗增加,并使MOSFET升溫。而結(jié)點(diǎn)溫度的上升將導(dǎo)致MOSFET的dv/dt性能下降。在極端情況下,可能會(huì)損壞MOSFET,并致使系統(tǒng)故障。

 

 

圖1:根據(jù)負(fù)載條件發(fā)生移動(dòng)的LLC諧振轉(zhuǎn)換器工作點(diǎn)。

最新的MOSFET技術(shù)

MOSFET的$體二極管一般具有很長的反向恢復(fù)時(shí)間和很大的反向恢復(fù)電荷。盡管性能較差,但這種體二極管常被用作續(xù)流二極管,因?yàn)槠潆娐泛唵?,在諧振轉(zhuǎn)換器這樣的應(yīng)用中不會(huì)增加系統(tǒng)成本。隨著越來越多的應(yīng)用將固有體二極管用作系統(tǒng)中的關(guān)鍵元件,飛兆半導(dǎo)體在深入分析MOSFET故障機(jī)制的條件下,為諧振轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)出了一款高度優(yōu)化的功率MOSFET。這種MOSFET提高了體二極管的耐用性,而且輸出電容中存儲(chǔ)的能量較少。如表1所示,與替代方案相比,新型UniFET II MOSFET系列器件的反向恢復(fù)電荷(Qrr)大幅減少了50%和80%。

 

 

表1:待測器件的關(guān)鍵指標(biāo)比較。

MOSFET的電容是非線性的,取決于漏-源極電壓,因?yàn)镸OSFET電容實(shí)際上就是結(jié)點(diǎn)電容。在軟開關(guān)應(yīng)用中,MOSFET輸出電容可以用作諧振元件。當(dāng)MOSFET導(dǎo)通時(shí),為了支持零電壓開關(guān),從變壓器存儲(chǔ)的磁能中提取的電流將發(fā)生流動(dòng),從而給MOSFET輸出電容放電。因此,如果MOSFET輸出電容存儲(chǔ)的能量較小,達(dá)到軟開關(guān)所要求的諧振能量就較小,不會(huì)增加循環(huán)能量。與典型開關(guān)電源大電容電壓下導(dǎo)通電阻相同的競爭性器件相比,UniFET II MOSFET系列器件的輸出電容存儲(chǔ)的能量要少大約35%。輸出電容存儲(chǔ)的能量基準(zhǔn)如圖2所示。

 

 

圖2:輸出電容存儲(chǔ)的能量。

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