GT Advanced Technologies推出SiClone 100碳化硅生產(chǎn)爐
2013-07-09 10:00:48 來源：網(wǎng)絡(luò) 點(diǎn)擊：1047
摘要： GT Advanced Technologies今天推出其新型SiClone(TM) 100碳化硅(SiC)生產(chǎn)爐。 SiClone100采用升華生長(zhǎng)技術(shù)，能生產(chǎn)出高品質(zhì)的半導(dǎo)體SiC晶體塊，可最終制成最大直徑為100毫米的芯片。 在其初步階段，SiClone100主要針對(duì)本身已經(jīng)擁有熱場(chǎng)、合格的晶體塊生產(chǎn)配方及正準(zhǔn)備開始量產(chǎn)的客戶。
GT的總裁兼首席執(zhí)行官Tom Gutierrez表示：“GT新推出的SiClone100爐將解決電力電子行業(yè)對(duì)更高品質(zhì)SiC材料的需求，這些材料將用于生產(chǎn)先進(jìn)的高功率及高頻設(shè)備。 SiClone100為我們的SiC產(chǎn)品藍(lán)圖奠定堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ)，根據(jù)藍(lán)圖我們預(yù)計(jì)在未來向客戶提供可生產(chǎn)八英寸SiC芯片的完整生產(chǎn)環(huán)境，包括配方、熱場(chǎng)及耗材?！?/P>
GT利用其在晶體生長(zhǎng)技術(shù)領(lǐng)域深入的專業(yè)知識(shí)，為正在尋求“從實(shí)驗(yàn)室向工廠轉(zhuǎn)化”的客戶提供高度可靠及經(jīng)驗(yàn)證的平臺(tái)，幫助客戶開始量產(chǎn)SiC晶體塊。 SiClone100爐裝備有最先進(jìn)的控制系統(tǒng)，通過將爐電子與人機(jī)界面(HMI)相結(jié)合，實(shí)現(xiàn)生長(zhǎng)過程的自動(dòng)化。 SiClone100采用底部灌裝設(shè)計(jì)，從而令熱場(chǎng)灌裝變得簡(jiǎn)單。 控制系統(tǒng)為用戶帶來更大的靈活性，用戶可根據(jù)需要制定過程配方及控制生產(chǎn)參數(shù)，例如溫度、剖面、斜度及氣流，從而改善持續(xù)運(yùn)行的控制重復(fù)性，最終降低制造成本。 GT的現(xiàn)場(chǎng)工程師及支援團(tuán)隊(duì)將幫助客戶快速啟動(dòng)量產(chǎn)。
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截至目前，第三代半導(dǎo)體材料的應(yīng)用已經(jīng)進(jìn)入人們的日常工作和生活當(dāng)中，特別是GaN和SiC。未來，除了PD快充和新能源汽車等熱門應(yīng)用市場(chǎng)，國(guó)產(chǎn)的GaN和SiC材料應(yīng)用將會(huì)有新的市場(chǎng)逐步出現(xiàn)。
本文通過介紹 SiC 材料及 SiC 功率器件特性，指出 SiC 功率器件非常適合高頻、高壓化。文章通過設(shè)計(jì)一臺(tái)額定輸入功率 5.4kW、開關(guān)頻率 30kHz 的光伏 boost 變換器，分析計(jì)算 SiC-MOSFET 損耗遠(yuǎn)遠(yuǎn)低于 Si-MOSFET 和 Si-IGBT 損耗。使用 SiC-MOSFET 的光伏發(fā)電系統(tǒng)具有轉(zhuǎn)換效率高、發(fā)電量高的優(yōu)勢(shì)。
日前，碳化硅(SiC)技術(shù)全球領(lǐng)導(dǎo)者半導(dǎo)體廠商Cree宣布推出采用 SiC材料可使感應(yīng)加熱效率達(dá)到99%的Vds最大值為1.2KV、典型值為5.0 m?半橋雙功率模塊CAS300M12BM2。該款產(chǎn)品目標(biāo)用途包括感應(yīng)加熱設(shè)備、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器、太陽(yáng)能和風(fēng)能逆變器、UPS和開關(guān)電源以及牽引設(shè)備等。
作為半導(dǎo)體技術(shù)首屈一指的主導(dǎo)企業(yè)，羅姆引領(lǐng)世界之先，致力于低損耗元器件的開發(fā)，已經(jīng)從半導(dǎo)體材料硅錠采集到模具，形成一條龍的制造、開發(fā)體系。羅姆產(chǎn)品的“節(jié)能環(huán)保 ”，正是從小小的元器件開始。
致力于提供幫助功率管理、安全、可靠與高性能半導(dǎo)體技術(shù)產(chǎn)品的領(lǐng)先供應(yīng)商美高森美公司(Microsemi Corporation，紐約納斯達(dá)克交易所代號(hào)：MSCC) 推出采用碳化硅(SiC)材料和技術(shù)的全新1200 V 肖特基二極管系列，新的二極管產(chǎn)品瞄準(zhǔn)廣泛的工業(yè)應(yīng)用，包括太陽(yáng)能逆變器、電焊機(jī)、等離子切割機(jī)、快速車輛充電、石油勘探，以及非常注重功率密度、更高性能和可靠性的其它大功率高壓應(yīng)用。
記者從東莞市天域半導(dǎo)體科技有限公司獲悉，該公司投資碳化硅(SiC)材料這一高科技領(lǐng)域，連續(xù)砸進(jìn)1.8億元，正與中科院半導(dǎo)體研究所聯(lián)合，進(jìn)行“第三代半導(dǎo)體碳化硅外延晶片研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化”，是我國(guó)首家、全球第五家專業(yè)從事第三代半導(dǎo)體碳化硅(SiC)外延片生產(chǎn)、研發(fā)和銷售的高科技企業(yè)。
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