MOSFET超小型DIPIPM
2013-02-25 14:47:24 來源:網(wǎng)絡(luò) 點(diǎn)擊:1366
摘要: 三菱電機(jī)公司宣布,將推出轉(zhuǎn)換器類型的,超小型雙列直插式封裝智能功率模塊(DIPIPM),該智能功率模塊(DIPIPM)主要用于冰箱和其他消費(fèi)類電子產(chǎn)品的,小容量電機(jī)的,逆變器驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)。
關(guān)鍵字: 場(chǎng)效應(yīng)晶體管, 驅(qū)動(dòng)IC, 電機(jī)驅(qū)動(dòng)
該模塊采用金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)開關(guān)裝置,具有低電流區(qū)域的低電壓上電的特性。 該產(chǎn)品具有優(yōu)化的低損失驅(qū)動(dòng)IC,和先進(jìn)的小型化,及高散熱設(shè)計(jì),將有助于降低小容量電機(jī)驅(qū)動(dòng)的功耗,和降低逆變器系統(tǒng)的成本,將于3月1日開始銷售。
With optimized low-loss-drive ICs and a high-heat dissipation design, the module will help to reduce power consumption, advance miniaturization and lower the cost of inverter systems for small-capacity motor drive applications.
Product Features
Reduced power consumption in small-capacity inverter systems*
– Power-on voltage in low current regions is reduced by
– Reduction of recovered-power loss by optimizing the MOSFET process.
– Reduction of IC power loss by optimizing the control IC.
High reliability through high-heat dissipation structure
Suppression of channel temperature rise by reducing power loss of switching device and applying a high-heat dissipation insulation sheet.
Cost reduction and miniaturization of final product
Facilitation of thermal radiation via the high-heat dissipation design.
Reduction of external components thanks to built-in bootstrap diode (BSD) with current limiting resistor.
Article Sources: Mitsubishi Electric
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安森美宣布已與Qorvo達(dá)成協(xié)議,以1.15億美元現(xiàn)金收購其碳化硅結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管(SiC JFET)技術(shù)業(yè)務(wù)及其子公司United Silicon Carbide。
面對(duì)社會(huì)的需要和系統(tǒng)調(diào)節(jié)要求,電源的效率都是電子系統(tǒng)中優(yōu)先考慮的因數(shù),尤其是從電動(dòng)汽車(EV)到高壓通訊,以及工業(yè)基礎(chǔ)設(shè)施整個(gè)應(yīng)用范圍,電源的轉(zhuǎn)換效率和功率密度,對(duì)于一個(gè)成功的設(shè)計(jì)來說都是關(guān)鍵。
牽引逆變器是電動(dòng)汽車 (EV) 中消耗電池電量的主要零部件,功率級(jí)別可達(dá) 150kW 或更高。牽引逆變器的效率和性能直接影響電動(dòng)汽車單次充電后的行駛里程。因此,為了構(gòu)建下一代牽引逆變器系統(tǒng),業(yè)界廣泛采用碳化硅 (SiC) 場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (FET) 來實(shí)現(xiàn)更高的可靠性、效率和功率密度。
氮化鎵 (GaN) 是電力電子行業(yè)的熱門話題,因?yàn)樗梢允沟?80Plus 鈦電源、3.8kW/L 電動(dòng)汽車 (EV) 車載充電器和 EV 充電站等設(shè)計(jì)得以實(shí)現(xiàn)。在許多應(yīng)用中, GaN 能夠提高功率密度和效率,因此它取代了傳統(tǒng)的硅金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (MOSFET)。
鑒于氮化鎵 (GaN) 場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (FET) 能夠提高效率并縮小電源尺寸,其采用率正在迅速提高。但在投資這項(xiàng)技術(shù)之前,您可能仍然會(huì)好奇GaN是否具有可靠性。令我驚訝的是,沒有人詢問硅是否具有可靠性。畢竟仍然有新的硅產(chǎn)品不斷問世,電源設(shè)計(jì)人員對(duì)硅功率器件的可靠性也很關(guān)心。
功率MOSFET即金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)有三個(gè)管腳,分別為柵極(Gate),漏極(Drain)和源極(Source)。功率MOSFET為電壓型控制器件,驅(qū)動(dòng)電路簡(jiǎn)單,驅(qū)動(dòng)的功率小,而且開關(guān)速度快,具有高的工作頻率。
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