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TriQuint推出具有卓越增益的新氮化鎵晶體管，可使放大器尺寸減小50%

2012-12-18 09:17:16 來(lái)源：中電網(wǎng)

摘要：中國(guó) 上海 - 2012年12月18 日 - 技術(shù)創(chuàng)新的射頻解決方案領(lǐng)導(dǎo)廠商TriQuint半導(dǎo)體公司(納斯達(dá)克代碼：TQNT)，推出四款具有卓越增益和效率，并且非常耐用的新氮化鎵 (GaN) HEMT 射頻功率晶體管產(chǎn)品。

關(guān)鍵字： TriQuint半導(dǎo)體， 晶體管， 氮化鎵

中國(guó) 上海 - 2012年12月18 日 - 技術(shù)創(chuàng)新的射頻解決方案領(lǐng)導(dǎo)廠商TriQuint半導(dǎo)體公司(納斯達(dá)克代碼：TQNT)，推出四款具有卓越增益和效率，并且非常耐用的新氮化鎵 (GaN) HEMT 射頻功率晶體管產(chǎn)品。TriQuint的氮化鎵晶體管可使放大器的尺寸減半，同時(shí)改進(jìn)效率和增益。這些新的氮化鎵晶體管可在直流至6 GHz寬廣的工作頻率上提供30-37W (CW) 射頻輸出功率。它們是商業(yè)通信和測(cè)試設(shè)備系統(tǒng)等類似的寬帶系統(tǒng)應(yīng)用的理想選擇。

TriQuint新的氮化鎵功率晶體管包括28V的T1G6003028-FS，其工作頻率為直流至6 GHz，提供30W的輸出功率，在3.5 GHz和6 GHz頻率時(shí)的效率分別為55%和44%。T1G6003028-FL提供相同的性能，并且采用法蘭封裝來(lái)滿足不同封裝的要求。TriQuint新的32V的T1G4003532-FS和法蘭封裝的T1G4003532-FL是用于S波段及類似應(yīng)用的理想選擇。它們?cè)谥绷髦?.5 GHz工作頻率下提供37W (CW) 輸出功率。上述兩種32V器件均在3.5 GHz和6 GHz分別提供大于16dB和10dB的增益;其附加功率效率(PAE) 在5GHz和6GHz分別為60%和49.6%。

所有四款新的氮化鎵晶體管均可承受高達(dá)10:1的駐波比(VSWR) 失配而不損害功能，同時(shí)為在高漏偏壓條件下工作而優(yōu)化，從而降低系統(tǒng)成本和散熱管理成本。所有器件均可出口至大多數(shù)國(guó)家;詳情請(qǐng)與TriQuint聯(lián)系。

技術(shù)規(guī)格 – 新的TriQuint 氮化鎵晶體管：

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TriQuint半導(dǎo)體晶體管氮化鎵

TriQuint新款功率倍增器為有線電視 (CATV) 基礎(chǔ)構(gòu)架提供高輸出性能

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TriQuint的新型射頻芯片組為無(wú)線回程微波無(wú)線電提供完整的解決方案

中國(guó) 上海 – 2013年7月9日 – 技術(shù)創(chuàng)新的射頻解決方案領(lǐng)導(dǎo)廠商TriQuint半導(dǎo)體公司(納斯達(dá)克代碼：TQNT)，今天發(fā)布了12款新型產(chǎn)品，重點(diǎn)強(qiáng)調(diào)兩個(gè)完整的射頻芯片組系列。這些產(chǎn)品用于服務(wù)3G/4G蜂窩回程以及相關(guān)應(yīng)用的15GHz和23GHz點(diǎn)對(duì)點(diǎn) (PtP) 無(wú)線電。
TriQuint發(fā)布15款GaN放大器和晶體管

TriQuint半導(dǎo)體發(fā)布了15款新型氮化鎵( GaN )放大器和晶體管以及兩套全新的氮化鎵工藝。這些產(chǎn)品為通訊系統(tǒng)提供了性能、尺寸和耐用性的優(yōu)勢(shì)。
TriQuint加速了氮化鎵的供應(yīng)速度，推出卓越新產(chǎn)品和代工服務(wù)

中國(guó) 上海 – 2013年7月1日 – 技術(shù)創(chuàng)新的射頻解決方案領(lǐng)導(dǎo)廠商TriQuint半導(dǎo)體(納斯達(dá)克代碼：TQNT)，今天發(fā)布了15款新型氮化鎵( GaN )放大器和晶體管以及兩套全新的氮化鎵工藝。這些產(chǎn)品為通訊系統(tǒng)提供了性能、尺寸和耐用性的優(yōu)勢(shì)。
積極加強(qiáng)中國(guó)市場(chǎng)建設(shè)，TriQuint連續(xù)多年獲得“最受中國(guó)市場(chǎng)歡迎半導(dǎo)體品牌” 年度殊榮

中國(guó) 上海 – 2013年5月7日 – 技術(shù)創(chuàng)新的射頻解決方案領(lǐng)導(dǎo)廠商TriQuint半導(dǎo)體公司(納斯達(dá)克代碼：TQNT)，宣布其近日榮獲由中華人民共和國(guó)工業(yè)和信息化部主管的中國(guó)電子報(bào)社和電子信息產(chǎn)業(yè)網(wǎng)聯(lián)合授予的“2012年度最受中國(guó)市場(chǎng)歡迎的半導(dǎo)體品牌”獎(jiǎng)項(xiàng)。TriQuint半導(dǎo)體已經(jīng)連續(xù)四年獲此殊榮，這代表著中國(guó)市場(chǎng)及業(yè)界人士對(duì)TriQuint不斷提升的品牌影響力、出色的市場(chǎng)銷售、為客戶提供的
TriQuint半導(dǎo)體推出新的跨阻抗放大器系列，擴(kuò)展對(duì)光纖通信市場(chǎng)的支持

中國(guó) 北京– 2013年4月16日 – 技術(shù)創(chuàng)新的射頻解決方案領(lǐng)導(dǎo)廠商TriQuint半導(dǎo)體公司(納斯達(dá)克代碼：TQNT)，推出五款新的跨阻抗放大器 (TIA) 產(chǎn)品---TGA4864、TGA4861、TGA4866、TIA56和TIA56A，擴(kuò)充其光纖基礎(chǔ)設(shè)施產(chǎn)品組合，使其能夠同時(shí)為高性能光纖網(wǎng)絡(luò)的發(fā)射與接收提供支持。該新產(chǎn)品系列補(bǔ)充了TriQuint用于10、40、100 Gb/s和下一代2

Microchip、英飛凌、辰達(dá)半導(dǎo)體推出高性能產(chǎn)品

Microchip推出集成SiP/SoC的SAMA7D65系列微處理器;英飛凌帶來(lái)采用新型硅封裝的CoolGaN? G3晶體管;辰達(dá)半導(dǎo)體發(fā)布40V N 溝道增強(qiáng)型MOSFET：MDD210N40P。
“無(wú)傷害”電源及其報(bào)警器的構(gòu)建是醫(yī)療設(shè)備安全應(yīng)用的保證

值此本文從氮化鎵晶體管構(gòu)建的電源系統(tǒng)的高電壓作為引導(dǎo)，對(duì)“無(wú)傷害”的醫(yī)用級(jí)電源及其報(bào)警器與醫(yī)療級(jí)AC-DC電源多種外形設(shè)計(jì)及IEC 60601-1技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)應(yīng)用等問(wèn)題作研討。
安森美將收購(gòu)碳化硅JFET技術(shù)，以增強(qiáng)其針對(duì)人工智能數(shù)據(jù)中心的電源產(chǎn)品組合

安森美宣布已與Qorvo達(dá)成協(xié)議，以1.15億美元現(xiàn)金收購(gòu)其碳化硅結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管(SiC JFET)技術(shù)業(yè)務(wù)及其子公司United Silicon Carbide。
生成式人工智能（GenAI）——幫助優(yōu)化全球功率最密集的計(jì)算應(yīng)用

訓(xùn)練生成式人工智能（GenAI）神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)模型通常需要花費(fèi)數(shù)月的時(shí)間，數(shù)千個(gè)基于GPU并包含數(shù)十億個(gè)晶體管的處理器、高帶寬SDRAM和每秒數(shù)太比特的光網(wǎng)絡(luò)交換機(jī)要同時(shí)連續(xù)運(yùn)行。雖然人工智能有望帶來(lái)人類生產(chǎn)力的飛躍，但其運(yùn)行時(shí)能耗巨大，所以導(dǎo)致溫室氣體的排放也顯著增加。
緯湃科技采用英飛凌CoolGaN?晶體管，打造功率密度領(lǐng)先的DC-DC轉(zhuǎn)換器

直流-直流（DC-DC）轉(zhuǎn)換器在電動(dòng)汽車和混合動(dòng)力汽車中都是必不可少的，用于連接高壓電池和低壓輔助電路。這包括12V電源的前大燈、車內(nèi)燈、雨刮和車窗電機(jī)、風(fēng)扇，以及48V電源的泵、轉(zhuǎn)向驅(qū)動(dòng)裝置、照明系統(tǒng)、電加熱器和空調(diào)壓縮機(jī)。
什么是散熱器？

散熱器為不能充分散熱的部件提供散熱。例如，它們被用于冷卻計(jì)算機(jī)中的中央處理單元(cpu)和圖形處理單元(gpu)，功率晶體管和其他高功率半導(dǎo)體器件，以及用于光電子器件，如激光器和led。散熱器通過(guò)吸收熱量來(lái)保護(hù)關(guān)鍵部件免受損壞或性能損失。

GaN FET在人形機(jī)器人中的應(yīng)用

與傳統(tǒng)伺服系統(tǒng)相比，人形機(jī)器人的伺服系統(tǒng)具有更高的控制精度、尺寸和散熱要求。本文介紹了GaN（氮化鎵）技術(shù)在電機(jī)驅(qū)動(dòng)器中的各種優(yōu)勢(shì)，并展示了GaN如何幫助解決人形機(jī)器人中伺服系統(tǒng)面臨的挑戰(zhàn)。
無(wú)輔助繞組GaN反激式轉(zhuǎn)換器如何解決交流/直流適配器設(shè)計(jì)難題

人們對(duì)更小、更高效電源的需求不斷增長(zhǎng)，進(jìn)而推動(dòng)著基于氮化鎵(GaN)的功率級(jí)快速普及。在交流/直流適配器市場(chǎng)中，制造商正在迅速利用GaN反激式轉(zhuǎn)換器，通過(guò)功能越來(lái)越強(qiáng)大但尺寸越來(lái)越小的適配器，幫助擴(kuò)大USB Type-C?接口的市場(chǎng)規(guī)模。
“無(wú)傷害”電源及其報(bào)警器的構(gòu)建是醫(yī)療設(shè)備安全應(yīng)用的保證

值此本文從氮化鎵晶體管構(gòu)建的電源系統(tǒng)的高電壓作為引導(dǎo)，對(duì)“無(wú)傷害”的醫(yī)用級(jí)電源及其報(bào)警器與醫(yī)療級(jí)AC-DC電源多種外形設(shè)計(jì)及IEC 60601-1技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)應(yīng)用等問(wèn)題作研討。
GaN，又有新突破?

PI近日宣布推出1700V氮化鎵(GaN)開關(guān)IC，這一技術(shù)突破有哪些亮點(diǎn)?它將如何影響高壓氮化鎵市場(chǎng)?
新品速遞|聚焦英飛凌、圣邦微、PI...多家半導(dǎo)體廠商新品動(dòng)向

本周，英飛凌、圣邦微以及PI等多家半導(dǎo)體廠商發(fā)布最新產(chǎn)品進(jìn)展，涵蓋車載充電模塊、氮化鎵開關(guān)IC、車規(guī)級(jí)降壓轉(zhuǎn)換器、三相半橋驅(qū)動(dòng)芯片多個(gè)領(lǐng)域。
Power Integrations推出1700V氮化鎵開關(guān)IC，為氮化鎵技術(shù)樹立新標(biāo)桿

Power Integrations推出InnoMux?-2系列單級(jí)、獨(dú)立調(diào)整多路輸出離線式電源IC的新成員。

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