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富士通半導(dǎo)體推出帶新的小封裝的超低功耗16Kb FRAM
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富士通半導(dǎo)體推出帶新的小封裝的超低功耗16Kb FRAM

2012-11-27 09:35:11 來源:國際電子商情 點(diǎn)擊:1151

摘要:  上海,2012年11月27日 –富士通半導(dǎo)體(上海)有限公司今日宣布其低功耗鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器FRAM又添小封裝成員-SON-8封裝的MB85RC16。富士通的MB85RC16提供標(biāo)準(zhǔn)封裝SOP-8,SON-8是為該產(chǎn)品添加的新型封裝。

關(guān)鍵字:  富士通半導(dǎo)體,  存取存儲(chǔ)器,  MB85RC16芯片

上海,2012年11月27日 –富士通半導(dǎo)體(上海)有限公司今日宣布其低功耗鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器FRAM又添小封裝成員-SON-8封裝的MB85RC16。富士通的MB85RC16提供標(biāo)準(zhǔn)封裝SOP-8,SON-8是為該產(chǎn)品添加的新型封裝。

富士通半導(dǎo)體

MB85RC16芯片

便攜式醫(yī)療設(shè)備和便攜式測(cè)量設(shè)備使用FRAM有助于延長電池壽命。SON-8封裝使得終端產(chǎn)品更加小型化。這些優(yōu)勢(shì)給客戶帶來了便利。

與傳統(tǒng)的非易失性存儲(chǔ)器相比,富士通FRAM的優(yōu)勢(shì)主要體現(xiàn)在高速存儲(chǔ)、高耐久性和低功耗等方面。富士通FRAM廣泛應(yīng)用于需要高可靠性的能量表領(lǐng)域。

富士通帶I2C接口的16Kb FRAM-MB85RC16的一大優(yōu)勢(shì)是低功耗。與競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手的產(chǎn)品相比,其待機(jī)電流和工作電流目前是全世界最低的。尤其是在待機(jī)模式下,平均電流僅為0.1uA,對(duì)于便攜式測(cè)量設(shè)備,待機(jī)時(shí)間更長,這一特性延長了電池壽命。

由于運(yùn)行時(shí)電流也很小,該產(chǎn)品也適用于需要實(shí)時(shí)數(shù)據(jù)記錄的可便攜式設(shè)備。與傳統(tǒng)的標(biāo)準(zhǔn)EEPROM相比,燒寫時(shí)可降低98%的電流消耗。(圖1)

富士通半導(dǎo)體

圖1

為了滿足電池供電的便攜式應(yīng)用或者移動(dòng)應(yīng)用的低功耗要求,富士通開發(fā)了新的小封裝SON-8,作為MB85RC16的標(biāo)準(zhǔn)封裝陣容。

富士通的FRAM產(chǎn)品被廣泛應(yīng)用于各種先進(jìn)領(lǐng)域,如計(jì)量、工業(yè)設(shè)備和FA設(shè)備。然而對(duì)于電池供電的便攜式設(shè)備和移動(dòng)設(shè)備,其終端產(chǎn)品越來越小型化,占板面積也有限,所以有進(jìn)一步小型化的要求。

為滿足這一需求,富士通在其超低功耗FRAM-MB85RC16添加了SON-8封裝。與現(xiàn)有的SOP-8封裝相比,SON-8封裝的占板面積減少了80%。封裝尺寸為3mm x 2mm. (圖2)

富士通半導(dǎo)體

圖2

使用帶SON-8封裝的MB85RC16可延長電池壽命,并使最終產(chǎn)品小型化。

本文為嗶哥嗶特資訊原創(chuàng)文章,未經(jīng)允許和授權(quán),不得轉(zhuǎn)載,否則將嚴(yán)格追究法律責(zé)任;

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富士通半導(dǎo)體 存取存儲(chǔ)器
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