IDT推出業(yè)界最低功率DDR3 - 1866內(nèi)存緩沖芯片
2012-11-13 09:13:00 來源:中電網(wǎng)
摘要: 擁有模擬和數(shù)字領域的優(yōu)勢技術(shù)、提供領先的混合信號半導體解決方案的供應商 IDT®公司 (Integrated Device Technology, Inc.; NASDAQ: IDTI) 今天推出業(yè)界首款低功率DDR3 內(nèi)存緩沖芯片,可在高達 1866 兆/秒 (MT/s) 的傳輸速率下運行。
關(guān)鍵字: IDT, 內(nèi)存緩沖芯片, MB3518
擁有模擬和數(shù)字領域的優(yōu)勢技術(shù)、提供領先的混合信號半導體解決方案的供應商 IDT®公司 (Integrated Device Technology, Inc.; NASDAQ: IDTI) 今天推出業(yè)界首款低功率DDR3 內(nèi)存緩沖芯片,可在高達 1866 兆/秒 (MT/s) 的傳輸速率下運行。通過提升 DDR3 減少負載雙列直插內(nèi)存模塊 (LRDIMM) 的最高數(shù)據(jù)傳輸速率,并使系統(tǒng)制造商獲益于更高速度的內(nèi)存容量,新器件彰顯了IDT在內(nèi)存接口解決方案領域的領導者地位。IDT 的內(nèi)存緩沖芯片是用于服務器、工作站和存儲應用的先進內(nèi)存子系統(tǒng)的關(guān)鍵組件。
MB3518 是一個低功率 DDR3 內(nèi)存緩沖芯片,能在 1 個通道內(nèi)與 2 個 LRDIMM 以高達1866 兆/秒的傳輸速率運行。假設一個 32GB 容量的 4 通道 (quad-rank) LRDIMM,相當于在一個典型服務器中傳輸速率為 1866 兆/秒的 512GB 容量,那么使用 8 通道 64GB 的 LRDIMM 容量能翻番達到超過 1TB,預計將在 2013 年推出。這意味著相比于標準注冊的雙列直插內(nèi)存模塊 (RDIMMs),在最高速度等級的相對容量內(nèi)實現(xiàn)了四倍的提升,使計算系統(tǒng)能夠支持更多內(nèi)存并提升應用性能。內(nèi)存緩沖芯片可在 1.5 V 或 1.35V 下運行,在不犧牲性能的前提下提供業(yè)界最低的功耗。這直接使得終端用戶在功率和冷卻方面節(jié)約可觀的運營費用。
IDT 公司副總裁兼企業(yè)計算部總經(jīng)理 Mario Montana 表示:“作為內(nèi)存接口解決方案的領導廠商,IDT 正在提高 LRDIMM 的性能極限。通過專注于低功率和高性能,在提升速度的同時堅持開發(fā)高效節(jié)能的解決方案以降低數(shù)據(jù)中心的運行成本并減少碳排放,IDT 的客戶們可以從中獲益。從系統(tǒng)來看,IDT 豐富的接口和互聯(lián)產(chǎn)品組合為廣大客戶提供了有吸引力的價值選擇,幫助他們構(gòu)建市場上最先進的企業(yè)服務器和存儲設備?!?/P>
美光 (NASDAQ: MU) DRAM 市場部副總裁 Robert Feurle 表示:“美光致力于提供能夠在提升性能的同時降低功率的 LRDIMM 解決方案,來滿足我們的客戶在高性能計算 (HPC)、數(shù)據(jù)中心和云計算方面的需求。我們很高興與 IDT 緊密合作,開發(fā)下一代 LRDIMM 產(chǎn)品?!?/P>
IDT 的內(nèi)存緩存芯片擁有獨有的調(diào)試和驗證特性,包括每個引腳和晶片示波器的支持和內(nèi)置邏輯分析儀的采集以促進全緩沖 DIMM 拓撲技術(shù)的開發(fā)、驗證和測試。這些特性對于 LRDIMM 模塊上的內(nèi)存緩沖到 DRAM 接口尤其重要,因為它是完全獨立于主控制器和自動測試儀的。IDT 內(nèi)存緩沖芯片符合聯(lián)合電子工程委員會 (JEDEC) 設立的最嚴格的規(guī)范。
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