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摘要：  2012年11月12日 – 應(yīng)用于高能效電子產(chǎn)品的首要高性能硅方案供應(yīng)商安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor，美國納斯達(dá)克上市代號(hào)：ONNN)推出新系列的有源擴(kuò)頻時(shí)鐘產(chǎn)生器集成電路(IC)，管理時(shí)鐘源的電磁干擾(EMI)及射頻干擾(RFI)，為所有依賴于時(shí)鐘的信號(hào)在系統(tǒng)范圍內(nèi)降低EMI。

關(guān)鍵字：  安森美半導(dǎo)體，  有源擴(kuò)頻時(shí)鐘產(chǎn)生器，  

2012年11月12日 – 應(yīng)用于高能效電子產(chǎn)品的首要高性能硅方案供應(yīng)商安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor，美國納斯達(dá)克上市代號(hào)：ONNN)推出新系列的有源擴(kuò)頻時(shí)鐘產(chǎn)生器集成電路(IC)，管理時(shí)鐘源的電磁干擾(EMI)及射頻干擾(RFI)，為所有依賴于時(shí)鐘的信號(hào)在系統(tǒng)范圍內(nèi)降低EMI。

P3P8203A LVCMOS峰值EMI降低時(shí)鐘產(chǎn)生器的目標(biāo)應(yīng)用為圖形卡、計(jì)算及消費(fèi)等應(yīng)用。這器件支持3.3 伏(V)輸入電壓，頻率范圍為18 MHz至36 MHz，通過外部電阻模擬控制擴(kuò)頻偏差。系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員選擇該外部電阻之不同值在輸出提供所想要額度的擴(kuò)頻偏差，便能更靈活地定制應(yīng)用，使在其應(yīng)用中取得達(dá)致降低EMI的要求。P3P8203A采用8引腳、2 mm x 2mm x 0.8 mm WDFN封裝，非常適合用于印制電路板(PCB)空間受限的應(yīng)用。工作溫度范圍為0°C至+70°C。

P3MS650100H和P3MS650103H LVCMOS峰值EMI降低時(shí)鐘產(chǎn)生器非常適合用于PCB空間受限的應(yīng)用，如手機(jī)和平板電腦等便攜電池供電設(shè)備;在這些應(yīng)用中， EMI/RFI可能是重大挑戰(zhàn)，而遵從EMI/RFIF規(guī)范是先決條件。這兩款通用新擴(kuò)頻型時(shí)鐘產(chǎn)生器采用尺寸僅為1 mm x

1.2 mm x 0.8 mm的微型4引腳WDFN封裝，提供業(yè)界最小的獨(dú)立式有源方案，用于降低時(shí)鐘源及源自時(shí)鐘源的下行時(shí)鐘和數(shù)據(jù)信號(hào)的EMI/RFI。P3MS650100H和P3MS650103H支持1.8 V至3.3 V的輸入電壓范圍，典型擴(kuò)頻偏差為0.45%至1.4%，減小15 MHz至60 MHz頻率范圍之時(shí)鐘源的EMI/RFI。工作溫度范圍為-20ºC至+85ºC。

安森美半導(dǎo)體工業(yè)及時(shí)序產(chǎn)品副總裁Ryan Cameron說：“符合EMI規(guī)范同時(shí)控制成本及盡量減少PCB占位面積，是便攜及計(jì)算應(yīng)用的重大挑戰(zhàn)。我們新的EMI降低IC解決這些挑戰(zhàn)，提供高性價(jià)比的方案，降低時(shí)鐘源及源自時(shí)鐘源的下行時(shí)鐘和數(shù)據(jù)信號(hào)的EMI/RFI。設(shè)計(jì)工程師在設(shè)計(jì)周期及早應(yīng)用這些器件，可無須采用其他方案，也無須加入高成本的額外PCB層或屏蔽來處理EMI/RFI問題?！?/P>

封裝及價(jià)格

P3P8203A采用8引腳WDFN封裝，每批量10，000片的單價(jià)為0.44美元。P3MS650100H及P3MS650103H采用4引腳WDFN封裝，每批量10，000片的單價(jià)為0.24美元。

Electronica 2012

歡迎蒞臨安森美半導(dǎo)體于11月13日至16日德國慕尼黑 Electronica 2012的展臺(tái)(A5館225號(hào)展臺(tái))，觀看P3P8203A及用于通信應(yīng)用的其它電源、散熱和信號(hào)管理方案的演示。