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飛兆半導(dǎo)體借助最新款帶短路功能的IGBT提高電機(jī)驅(qū)動(dòng)效率和可靠性

2012-09-06 13:52:48 來(lái)源：半導(dǎo)體器件應(yīng)用網(wǎng) 點(diǎn)擊：1241

摘要：全球領(lǐng)先的高性能功率和移動(dòng)產(chǎn)品供應(yīng)商飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor)已經(jīng)擴(kuò)充其短路額定IGBT產(chǎn)品組合，為電機(jī)驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)者提供更高的效率、功率密度和可靠性，以便支持低損耗和短路耐用性至關(guān)重要的三相電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用。

關(guān)鍵字： IGBT， 三相電機(jī)驅(qū)動(dòng)

全球領(lǐng)先的高性能功率和移動(dòng)產(chǎn)品供應(yīng)商飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor)已經(jīng)擴(kuò)充其短路額定IGBT產(chǎn)品組合，為電機(jī)驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)者提供更高的效率、功率密度和可靠性，以便支持低損耗和短路耐用性至關(guān)重要的三相電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用。

這些600V IGBT提供5A至15A的電流額定值，通過(guò)低VCE(sat)額定值能夠最大限度地減少功率損耗，同時(shí)滿足嚴(yán)格的節(jié)能指標(biāo)。這些器件具有10µs的短路耐受時(shí)間(VCE=350V、VGE=15V、 Rg=100、 Tj=150C時(shí))和快速開關(guān)速度，從而可提高系統(tǒng)效率。

特性和優(yōu)勢(shì)：

· FGB7N60UNDF和FGB5N60UNDF具有業(yè)界較低的2.1V VCE(sat) 額定值，因而通態(tài)傳導(dǎo)損耗損耗更低。

· FGP10N60UNDF/FGP15N60UNDF和FGPF10N60UNDF/FGPF15N60UNDF具有業(yè)界較低的關(guān)斷損耗(Eoff) 特性，可最大限度地減少高頻條件(15kHz 開關(guān)載波頻率)下的功率損耗。

· 符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)

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IGBT 三相電機(jī)驅(qū)動(dòng)

IGBT模塊在頗具挑戰(zhàn)性的逆變器應(yīng)用中提供更高能效

制造商和消費(fèi)者都在試圖擺脫對(duì)化石燃料能源的依賴，電氣化方案也因此廣受青睞。這對(duì)于保護(hù)環(huán)境、限制污染以及減緩破壞性的全球變暖趨勢(shì)具有重要意義。電動(dòng)汽車(EV)在全球日益普及，眾多企業(yè)紛紛入場(chǎng)，試圖將商用和農(nóng)業(yè)車輛(CAV)改造成由電力驅(qū)動(dòng)。
英飛凌、瑞薩、極海、先楫等大廠新品快訊

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營(yíng)收首降，斯達(dá)半導(dǎo)能否找到下一個(gè)風(fēng)口？

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安森美推出最新的第7代IGBT模塊，助力可再生能源應(yīng)用簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)并降低成本

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用于SiC MOSFET和高功率IGBT的IX4352NE低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器

Littelfuse公司隆重宣布推出IX4352NE低側(cè)SiC MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動(dòng)器。這款創(chuàng)新的驅(qū)動(dòng)器專門設(shè)計(jì)用于驅(qū)動(dòng)工業(yè)應(yīng)用中的碳化硅(SiC)MOSFET和高功率絕緣柵雙極晶體管(IGBT)。
Power Integrations推出適用于1.2kV至2.3kV“新型雙通道” IGBT模塊的單板即插即用型門極驅(qū)動(dòng)器

2024年5月21日訊 – Power Integrations(納斯達(dá)克股票代號(hào)：POWI)今日宣布推出SCALE-iFlex? XLT系列雙通道即插即用型門極驅(qū)動(dòng)器，適配單個(gè)LV100(三菱)、XHPTM 2(英飛凌)、HPnC(富士電機(jī))以及耐壓高達(dá)2300V的同等半導(dǎo)體功率模塊，該模塊適用于儲(chǔ)能系統(tǒng)以及風(fēng)電和光伏可再生能源應(yīng)用。

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