IR全新600V IGBT提供更高功率密度和效率適合電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用
2012-09-04 14:19:27 來(lái)源:半導(dǎo)體器件應(yīng)用網(wǎng) 點(diǎn)擊:1222
摘要: 全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商 – 國(guó)際整流器公司 (International Rectifier,簡(jiǎn)稱IR) 推出600V絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 系列,適合在10kHz以下工作的電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用,包括冰箱和空調(diào)的壓縮機(jī)。
關(guān)鍵字: 絕緣柵雙極晶體管, 電機(jī)驅(qū)動(dòng)
全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商 – 國(guó)際整流器公司 (International Rectifier,簡(jiǎn)稱IR) 推出600V絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 系列,適合在10kHz以下工作的電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用,包括冰箱和空調(diào)的壓縮機(jī)。
IR新一代Gen 7 F器件采用擊穿溝道式技術(shù),能夠?yàn)樘囟ǖ墓ぷ黝l率提供更高功率密度,以及經(jīng)過(guò)優(yōu)化的傳導(dǎo)和開(kāi)關(guān)損耗。全新IGBT的VCE(ON) 非常低,能通過(guò)零溫度系數(shù)提升效率,使整個(gè)工作范圍都能保持高效率。該器件還能實(shí)現(xiàn)順暢開(kāi)關(guān),以減少電磁干擾與過(guò)沖,并且能在電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)額定短路。
IR亞太區(qū)銷售副總裁潘大偉表示:“IR全新的600V Gen 7 F溝道IGBT具有非常低的開(kāi)關(guān)和傳導(dǎo)損耗,為在10kHz以下工作的電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化,從而實(shí)現(xiàn)最佳效率?!?/P>
IRG7RC10FD 和IRG7IC30FD 均與軟恢復(fù)二極管共同封裝,而IRG7SC12F 則是單一IGBT,可讓設(shè)計(jì)師根據(jù)應(yīng)用需要選擇合適的二極管。
兩款配備Gen 7 F IGBT的電機(jī)控制參考設(shè)計(jì)現(xiàn)已供應(yīng)。IRMDKG7-400W包含適合高達(dá)400W電機(jī)的IRG7SC30FD DPAK IGBT和IRS2334S 三相位高壓集成電路 (HVIC) 驅(qū)動(dòng)器,而IRMDKG7-600W包含適合高達(dá)600W電機(jī)的IRG7SC30FD DPAK IGBT和IRS2334S 三相位高壓集成電路驅(qū)動(dòng)器。兩款參考設(shè)計(jì)都備有散熱片供用戶選擇。
產(chǎn)品規(guī)格
器件編號(hào)封裝電壓100ºC時(shí)的IcVceon
(典型25ºC)Tsc額定值速度
IRG7RC10FDDPAK600V9A1.6V3µs1-10 kHz
IRG7IC30FDTO-220FP600V12A1.6V3µs1-10 kHz
IRG7SC12FD2PAK600V13A1.6V3µs1-10 kHz
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智能電源和智能感知技術(shù)的領(lǐng)先企業(yè)安森美最新發(fā)布第7代1200V QDual3絕緣柵雙極晶體管(IGBT)功率模塊,與其他同類產(chǎn)品相比,該模塊的功率密度更高,且提供高10%的輸出功率。
Littelfuse公司隆重宣布推出IX4352NE低側(cè)SiC MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動(dòng)器。 這款創(chuàng)新的驅(qū)動(dòng)器專門(mén)設(shè)計(jì)用于驅(qū)動(dòng)工業(yè)應(yīng)用中的碳化硅(SiC)MOSFET和高功率絕緣柵雙極晶體管(IGBT)。
安森美宣布推出采用了新的場(chǎng)截止第7代(FS7)絕緣柵雙極晶體管(IGBT)技術(shù)的1200V SPM31智能功率模塊(IPM)。與市場(chǎng)上其他領(lǐng)先的解決方案相比,SPM31 IPM能效更高、尺寸更小、功率密度更高,因而總體系統(tǒng)成本更低。
IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)全稱為絕緣柵雙極晶體管,作為逆變焊機(jī)中高頻逆變的主要開(kāi)關(guān)器件,其性能的優(yōu)劣將直接影響焊機(jī)整體表現(xiàn)。隨著國(guó)內(nèi)工藝水平和設(shè)計(jì)能力的提升,國(guó)產(chǎn)IGBT開(kāi)始進(jìn)入焊機(jī)領(lǐng)域。
以太陽(yáng)能逆變器應(yīng)用來(lái)說(shuō),絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 能比其他功率元件提供更多的效益,其中包括高載流能力、以電壓而非電流進(jìn)行控制,并能使逆并聯(lián)二極管與IGBT配合。本文將介紹如何利用全橋逆變器拓?fù)浼斑x用合適的IGBT,使太陽(yáng)能應(yīng)用的功耗降至最低。
今天,不論是用在工業(yè)領(lǐng)域還是民用產(chǎn)品的開(kāi)關(guān)應(yīng)用,絕緣柵雙極晶體管(IGBT)都可以提供有效的解決方案,以實(shí)現(xiàn)最終產(chǎn)品的高能效和高性能。
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