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Microsemi開發(fā)下一代高電壓、高功率射頻器件為開發(fā)者提供強力技術支持

2011-07-07 11:13:21 來源：大比特半導體器件網點擊：1074

摘要：致力于提供強效、安全、可靠與高性能半導體技術產品的領先供應商美高森美公司日前發(fā)布用于開發(fā)下一代高電壓大功率系統(tǒng)的設計指南，這些系統(tǒng)以公司獨有的數(shù)字射頻(digital radio frequency， DRF)系列混合模塊為基礎，廣泛應用于半導體加工、LCD玻璃涂層、太陽能電池生產、光學器件及建筑玻璃涂層、有害氣體處理、CO2激光激發(fā)、MRI RF放大器、RF手術刀和感應加熱等系統(tǒng)中。

關鍵字：射頻， 半導體， 高森美， IC， 驅動器

全面的開發(fā)指南幫助解決設計難題并加快高性能、低成本射頻系統(tǒng)的開發(fā)速度

致力于提供強效、安全、可靠與高性能半導體技術產品的領先供應商美高森美公司日前發(fā)布用于開發(fā)下一代高電壓大功率系統(tǒng)的設計指南，這些系統(tǒng)以公司獨有的數(shù)字射頻(digital radio frequency， DRF)系列混合模塊為基礎，廣泛應用于半導體加工、LCD玻璃涂層、太陽能電池生產、光學器件及建筑玻璃涂層、有害氣體處理、CO2激光激發(fā)、MRI RF放大器、RF手術刀和感應加熱等系統(tǒng)中。

這些模塊將RF驅動IC和功率MOSFET集成在單一高性能封裝中，能夠以高達40 MHz的頻率發(fā)送1 ~ 3kW功率。設計指南還為系統(tǒng)開發(fā)人員提供了包括元器件選擇、匹配網絡設計、優(yōu)化輸出功率、效率最大化、散熱設計等各種RF設計技巧，并針對構建完整的RF發(fā)生器所需的電路拓撲提供具體建議。

美高森美MOSRF產品部營銷總監(jiān)Glenn Wright表示：“我們的DRF系列產品同傳統(tǒng)的低壓RF系統(tǒng)相比具有更加突出的技術優(yōu)勢。這些優(yōu)勢體現(xiàn)在能夠解決復雜的設計難題，減小系統(tǒng)體積、提高功率密度和可靠性，并降低總體系統(tǒng)成本，適合各種工業(yè)、科學和醫(yī)學方面的應用?！?/P>

美高森美DRF產品系列將最多兩個RF驅動器IC、兩個功率MOSFET及相關的退耦電容集成在單一封裝中。驅動器IC和MOSFET緊密接近，極大的降低了電路電感，同時可提供比分立元件解決方案更高的系統(tǒng)性能，以及實現(xiàn)多種電路配置和系統(tǒng)拓撲。該模塊專為提供連續(xù)的功率、 Class D和E與脈沖功率應用而設計，僅需5V邏輯電平輸入信號，即可發(fā)射高達3kW的RF功率。新模塊采用美高森美獨特的無法蘭封裝技術，成本比傳統(tǒng)替代解決方案更低，而且進一步改善系統(tǒng)性能。

美高森美現(xiàn)提供DRF產品系列的設計指南和其它開發(fā)工具和技術支持服務，包括SPICE模型，參考設計工具套件和應用說明。

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射頻半導體高森美 IC 驅動器

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