泰谷投資1.67億美元于南京設LED磊晶廠
2011-04-02 15:49:39 來源：網(wǎng)絡 點擊：1562
摘要： 日前，泰谷與韓國最大LED公司首爾半導體(Seoul Semiconductor)與旗下封裝廠首爾光學元件(Seoul Optodevice)合資成立新公司，雙方合作預計于Q2開始進行;泰谷2011年也持續(xù)擴產(chǎn)，MOCVD將新增20臺，法人預估產(chǎn)能將比去年大幅成長達6成的水準。
近日，LED磊晶廠泰谷光電(3339)與南京市經(jīng)濟技術開發(fā)區(qū)簽訂投資協(xié)議書，將投資1.67億美元，針對中國$照明市場在南京市設立上游的磊晶廠。
泰谷指出，此廠南京市政府不會參與投資，泰谷也不會獨資設立，相關的投資架構(gòu)均還在進行，由于此廠主打中國的照明市場，希望找尋下游的出海口客戶一起合作。
日前，泰谷與韓國最大LED公司首爾半導體(Seoul Semiconductor)與旗下封裝廠首爾光學元件(Seoul Optodevice)合資成立新公司，雙方合作預計于Q2開始進行;泰谷2011年也持續(xù)擴產(chǎn)，MOCVD將新增20臺，法人預估產(chǎn)能將比去年大幅成長達6成的水準。
除了泰谷之外，臺灣廠晶電(2448)與光寶科(2301)在常州合作成立一條龍LED廠，新世紀光電(3383)則在昆山設廠，隆達(3698)選擇在蘇州，璨圓(3061)則落腳揚州.
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傳統(tǒng)上在高壓功率晶體的設計中，采用硅材料的功率晶體要達到低通態(tài)電阻，必須采用超級結(jié)技術（superjunction），利用電荷補償?shù)姆绞绞估诰樱‥pitaxial layer）內(nèi)的垂直電場分布均勻，有效減少磊晶層厚度及其造成的通態(tài)電阻。
在經(jīng)歷過2019年的庫存去化，低谷期已經(jīng)過去了，12吋磊晶硅晶圓已經(jīng)回溫，非常有利于半導體硅晶圓市場的回溫，從而帶動我國半導體市場的進一步發(fā)展。
LED路燈光衰的關鍵問題在于溫度，偏偏LED路燈通常又敗在這個環(huán)節(jié)。LED路燈由于發(fā)光功率大于家用燈具，因此廠商在散熱基板鰭片、散熱模塊的設計上費盡苦心，組裝完畢需在燈具散熱模塊外面，加烤漆保護以防氣候侵蝕。不料這個外部保護的噴漆卻把散熱模塊的熱度又封了回去，造成散熱不良導致LED磊晶光衰。
半導體材料即將改朝換代。$晶圓磊晶層(Epitaxy Layer)普遍采用的矽材料，在邁入10納米技術節(jié)點后，將面臨物理極限，使制程微縮效益降低，因此半導體大廠已相繼投入研發(fā)更穩(wěn)定、高效率的替代材料。其中，鍺(Ge)和三五族(III-V)元素可有效改善電晶體通道的電子遷移率，提升芯片效能與省電效益，已被視為產(chǎn)業(yè)明日之星。
市場研究機構(gòu) Yole Developpement 推出超接面金氧半場效電晶體(Super Junction Metal-Oxide Semiconductor Field-Effect Transistor，SJ MOSFET)的市場更新報告，深度剖析高壓(400伏特以上) SJ MOSFET 市場指標與預測、深溝式(Deep trench)與多磊晶(multi-epi)技術的差異以及新興業(yè)者的
市場傳出，蘋果下一代iPhone將會配備多個LED閃光燈。由于LED閃光燈不具專利威脅，臺廠有機會爭取到商機，手機閃光燈最大廠億光出現(xiàn)機會最高，光寶也積極準備布局;磊晶廠晶電、璨圓同步受惠。
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