Diodes全新小巧晶體管實現小型化產品設計
2010-07-20 16:51:34 來源:博達公關公司
Diodes公司推出全新20V NPN及PNP雙極晶體管,它們采用超小型DFN1411-3表面貼裝封裝,能大大提升電源管理電路的功率密度和效率。該器件采用了Diodes第五代矩陣射極雙極工藝設計 (5 matrix emitter Bipolar process)。
這對互補性器件ZXTN26020DMF和ZXTP26020DMF的占位面積只有1.1 x 1.4毫米,離版高度為0.5毫米,有助于設計出極其纖巧的便攜式產品,還可改善產品的電性能及熱特性。
這些微型晶體管適用于MOSFET和IGBT柵極驅動、DC-DC轉換及一般開關工作,比體積更大的SOT23封裝元件更能節(jié)省空間,并體現盡善盡美的熱性能,其在占位面積最小的FR-4 PCB上的額定耗散功率僅為0.38W。
最新雙極器件的特點包括高增益、低飽和度及快速開關,并具有極高的連續(xù)電流處理能力。NPN和PNP器件的最大額定集電極電流分別為1.5A和–1.25A,超過目前所有封裝體積更小的器件。
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Microchip推出集成SiP/SoC的SAMA7D65系列微處理器;英飛凌帶來采用新型硅封裝的CoolGaN? G3晶體管;辰達半導體發(fā)布40V N 溝道增強型MOSFET:MDD210N40P。
值此本文從氮化鎵晶體管構建的電源系統的高電壓作為引導,對“無傷害”的醫(yī)用級電源及其報警器與醫(yī)療級AC-DC電源多種外形設計及IEC 60601-1技術標準應用等問題作研討。
安森美宣布已與Qorvo達成協議,以1.15億美元現金收購其碳化硅結型場效應晶體管(SiC JFET)技術業(yè)務及其子公司United Silicon Carbide。
訓練生成式人工智能(GenAI)神經網絡模型通常需要花費數月的時間,數千個基于GPU并包含數十億個晶體管的處理器、高帶寬SDRAM和每秒數太比特的光網絡交換機要同時連續(xù)運行。雖然人工智能有望帶來人類生產力的飛躍,但其運行時能耗巨大,所以導致溫室氣體的排放也顯著增加。
直流-直流(DC-DC)轉換器在電動汽車和混合動力汽車中都是必不可少的,用于連接高壓電池和低壓輔助電路。這包括12V電源的前大燈、車內燈、雨刮和車窗電機、風扇,以及48V電源的泵、轉向驅動裝置、照明系統、電加熱器和空調壓縮機。
散熱器為不能充分散熱的部件提供散熱。例如,它們被用于冷卻計算機中的中央處理單元(cpu)和圖形處理單元(gpu),功率晶體管和其他高功率半導體器件,以及用于光電子器件,如激光器和led。散熱器通過吸收熱量來保護關鍵部件免受損壞或性能損失。
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