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Qspeed推出超高效率600V H系列整流器 擴(kuò)展硅二極管性能領(lǐng)先優(yōu)勢
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Qspeed推出超高效率600V H系列整流器 擴(kuò)展硅二極管性能領(lǐng)先優(yōu)勢

2009-11-06 14:02:17 來源:大比特半導(dǎo)體器件網(wǎng)

超低逆向復(fù)原電荷的整流器硅組件
協(xié)助電源制造商滿足嚴(yán)格的性能與成本要求

    益登科技(EDOM Technology)代理的Qspeed半導(dǎo)體今日宣布推出H系列組件,協(xié)助電源廠商以更低成本克服高性能系統(tǒng)的各種挑戰(zhàn),同時也提供Qspeed擴(kuò)展其二極管性能領(lǐng)先優(yōu)勢的機(jī)會。以前一代產(chǎn)品作為基礎(chǔ),Qspeed新款600V功率因數(shù)校正器(PFC,Power Factor Corrector)不僅擁有更低的反向恢復(fù)電荷(QRR),且具有目前市面上硅二極管最高的轉(zhuǎn)換效率。 
    Qspeed PFC二極管能協(xié)助設(shè)計(jì)人員滿足各種嚴(yán)格的性能規(guī)范,不僅能提升系統(tǒng)性能、降低電磁干擾(EMI),而且無需使用其他器件或縮小其他組件。此外,由于Qspeed可帶來更低的操作溫度、更少的組件以及減少電路板與散熱片的需求,故適合用來提高電力密度、降低成本以及改善其可靠性。因此,Qspeed的產(chǎn)品不僅擁有領(lǐng)先市面上元器件的性能與成本,同時也協(xié)助提升業(yè)界價值。
    Qspeed 600V H系列的3A至12A產(chǎn)品擁有更低的QRR溫度系數(shù),能在高溫下將其轉(zhuǎn)換損失降至最低。除此之外,還可提供更低的正向電壓(VF,F(xiàn)orward Voltage)降低傳導(dǎo)損耗。另外,該系列和所有Qspeed其他二極管一樣,擁有變化幅度較為緩和的恢復(fù)波形,同時可降低其電磁輻射。此新款組件采用內(nèi)部隔離的TO-220封裝,集成熱敏電阻,更能讓此系列組件擴(kuò)展至12安培。
Qspeed擁有較低的諧波發(fā)射(Harmonic Emission),不僅能提升其系統(tǒng)的EMI等級,更可讓系統(tǒng)使用較少的緩沖器。Qspeed優(yōu)異的二極管轉(zhuǎn)換效率,能改進(jìn)電源的效率,還可減少其工作的發(fā)熱量。一般情況下,在縮小PFC MOSFET和/或散熱片的尺寸后,仍然可達(dá)到上述的優(yōu)勢。不過,更少的組件與更低的工作溫度,不僅能創(chuàng)造出更高的電力密度設(shè)計(jì),還可改善其系統(tǒng)的可靠性。因此,通過縮小尺寸或減少其組件的使用量,可降低物料清單成本。
    Qspeed半導(dǎo)體總裁暨執(zhí)行長Mike Heitzman表示:“目前Qspeed的電源客戶在價格競爭的市場中,正面臨高性能與電力密度的挑戰(zhàn)。H系列組件擁有獨(dú)特的性能組合,不僅能滿足設(shè)計(jì)人員對高性能的要求,同時還能降低元器件成本,并縮短研發(fā)周期。”
    如同之前的X系列與Q系列,新款的H系列也采用Qpeed專利的硅組件技術(shù)。Qspeed的高性能特色歸功于在傳統(tǒng)材料與工藝基礎(chǔ)之上的革新,同時,這意味著客戶可以從超過50年的工業(yè)硅晶圓工藝中受益,獲得更低成本、更高可靠度。

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