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半導(dǎo)體器件在儲能逆變器市場分析
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半導(dǎo)體器件在儲能逆變器市場分析
半導(dǎo)體 2024-01-22上傳 36頁 4.16Mb
“碳中和”、“俄烏戰(zhàn)爭”、“歐洲高電價”、“國家政策支持”等因素促使儲能行業(yè)景氣度持續(xù)上升,2021年、2022年全球產(chǎn)業(yè)持續(xù)大爆發(fā)。
 
逆變器作為儲能最重要的核心器件之一,除了實現(xiàn)直流轉(zhuǎn)交流的作用外,最重要的是對整個儲能電路保護(hù),儲能大爆發(fā)必將帶動逆變器行業(yè)上行。
 
逆變器里IGBT、MOS管、MCU、電源管理IC等半導(dǎo)體器件占比非常高。
 
逆變器里核心功率半導(dǎo)體器件IGBT,產(chǎn)品技術(shù)門檻較高,目前國內(nèi)IGBT產(chǎn)品自給率不足,在國產(chǎn)替代背景下,對于要步入這個領(lǐng)域的廠商是一個大機(jī)會。
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