半導(dǎo)體器件應(yīng)用本期產(chǎn)品拆解帶來關(guān)于某品牌電動(dòng)車控制器的產(chǎn)品拆解,深入了解其內(nèi)部的結(jié)構(gòu)以及關(guān)鍵的元器件,這次拆解的電動(dòng)車控制器中,一共用到了16顆電容,18顆功率MOSFET,對(duì)于電容和MOSFET的廠商來說電動(dòng)車控制器是一個(gè)比較大的應(yīng)用市場(chǎng)。
此款電動(dòng)車控制器所用的功率MOSFET是來自于上海貝嶺的BLP055N10,是N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,采用了雙溝槽技術(shù),且此MOSFET采用了2代的技術(shù)研制,相較于第1代導(dǎo)通電阻ron降低了20%,進(jìn)而降低了導(dǎo)通損耗,同時(shí)也降低了其穩(wěn)態(tài)工作時(shí)的發(fā)熱,相較于其他同規(guī)格產(chǎn)品做到了較低的溫升。