free性欧美人与牛,国产又粗又硬又大爽黄老大爷视 ,国产成人人妻精品一区二区三区 ,√天堂8资源中文,国产亚洲精品一区二区三区

隨著工業(yè)自動化、汽車電子、可再生能源等領域的快速發(fā)展，市場對半導體器件的性能、效率和可靠性提出了更高要求。

近日，Microchip、英飛凌、辰達半導體相繼推出新品，涵蓋微處理器、晶體管等，展現(xiàn)了行業(yè)最新技術(shù)成果。

這些產(chǎn)品不僅采用了先進的封裝技術(shù)和創(chuàng)新材料，還針對高增長市場進行了優(yōu)化設計，為下一代電子設備提供了強有力的支持。

Microchip：集成SiP/SoC的SAMA7D65系列微處理器

Microchip推出基于Arm® Cortex®-A7內(nèi)核的SAMA7D65系列微處理器(MPU)，運行頻率高達1 GHz，并提供集成2 Gb DDR3L的系統(tǒng)級封裝(SiP)及片上系統(tǒng)(SoC)兩款型號，專為人機接口及高連接性應用設計。

據(jù)了解，SAMA7D65系列以能效設計為核心，融合先進圖形、低延遲與連接性，為HMI應用設定了新標準。

其SiP版本通過集成DDR3L內(nèi)存，簡化研發(fā)流程并最大限度地緩解了供應鏈壓力，為客戶提供從設計到量產(chǎn)的高效路徑。

圖/ Microchip

產(chǎn)品優(yōu)勢：

• SAMA7D65 MPU 的圖形功能包括LVDS、MIPI DSI® 接口和 2D GPU。這些高性能功能可傳輸和處理更多數(shù)據(jù)，以實現(xiàn)高效的圖形性能。
• SAMA7D65 MPU 配備先進的音頻和連接功能，包括支持時間敏感網(wǎng)絡 (TSN) 的雙千兆以太網(wǎng)，實現(xiàn)了對實時系統(tǒng)至關(guān)重要的精確同步和低延遲通信。
• SAMA7D65D2G SiP具有2 Gb DDR3L存儲器，可進行高速同步動態(tài)隨機存取操作，其低壓設計可降低功耗并提高能效。SiP的設計通過預先解決高速存儲器接口設計方面的問題和簡化存儲器供應，可加快設計進程和產(chǎn)品上市時間。
• SAMA7D65系列面向具有交互式觸摸屏顯示器的應用，是對Microchip現(xiàn)有基于SAMA7G54 1 GHz Arm Cortex-A7的MPU的補充。使用Microchip MPU 的嵌入式開發(fā)人員可以利用 Microchip Graphics Suite 平臺，在 MPLAB® Harmony v3 和 Linux® 軟件平臺內(nèi)構(gòu)建復雜的圖形用戶接口 (GUI) 和其他圖形應用。

英飛凌：采用新型硅封裝的CoolGaN™ G3晶體管

CoolGaN™ G3 100V(IGD015S10S1) 晶體管器件將采用5x6 RQFN封裝，典型導通電阻為1.1mΩ;CoolGaN™ G3 80V(IGE033S08S1)將采用3.3x3.3 RQFN封裝，典型電阻為2.3mΩ。

采用RQFN封裝的IGE033S08S1和IGD015S10S1 GaN晶體管樣品將從2025年4月開始提供。

CoolGaN™ G3 100V晶體管與WRTFN-9-2組合 圖/英飛凌

產(chǎn)品特點：

• 兩款晶體管的封裝首次讓客戶可以采取簡便的多源采購策略，以及與硅基設計形成互補的布局。
• 新封裝與GaN組合帶來的低電阻連接和低寄生效應能夠在常見封裝中實現(xiàn)高性能晶體管輸出。
• 這種芯片與封裝組合擁有更大的暴露表面積和更高的銅密度，使熱量得到更好的分布和散發(fā)，因此不僅能提高熱傳導性，還具有很高的熱循環(huán)穩(wěn)定性。

辰達半導體：40V N 溝道增強型MOSFET

辰達半導體40V N 溝道增強型MOSFET——MDD210N40P采用先進的溝槽技術(shù)和設計，能在低柵極電荷的情況下實現(xiàn)出色的導通電阻。其VDS= 40 V;ID =210 A?？蓮V泛應用于電池保護、電源管理、開關(guān)模式電源等多種領域。

圖/辰達半導體

圖/辰達半導體

產(chǎn)品特性：

• 低導通電阻(RDS (ON))：當 Vgs = 10V 時，典型值為 1.5mΩ
• 極低的開關(guān)損耗
• 卓越的可靠性和一致性
• 具有高EAS，穩(wěn)定性和一致性良好