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TI、納芯微等國內(nèi)外半導體大廠新品一覽

2025-01-10 09:04:34 來源:整理自各品牌官方 作者:黃弋珂 點擊:6060

最近一周,多家半導體大廠發(fā)布新品,其中TI推出了毫米波雷達傳感器——TI AWRL6844 60GHz,國內(nèi)廠商納芯微和上海貝嶺也在全橋變壓器驅(qū)動、MOSFET等領(lǐng)域取得了產(chǎn)品最新進展。

01|TI: 毫米波雷達傳感器——TI AWRL6844 60GHz

  德州儀器 (TI)近日推出了毫米波雷達傳感器——TI AWRL6844 60GHz,通過運行邊緣AI算法的單個芯片,支持用于座椅安全帶提醒系統(tǒng)的占用檢測、車內(nèi)兒童檢測和入侵檢測,從而實現(xiàn)更安全的駕駛環(huán)境。

TI、Littelfuse、納芯微、上海貝嶺國內(nèi)外半導體大廠新品一覽

圖源:TI官方

  雷達傳感器產(chǎn)品特性:

  1. AWRL6844 集成了四個發(fā)送器和四個接收器,能夠提供高分辨率的檢測數(shù)據(jù),采集的數(shù)據(jù)輸入到應(yīng)用特定的 AI 驅(qū)動算法中,這些算法在可定制的片上硬件加速器和 DSP 上運行,從而能夠提高決策的準確性并加快數(shù)據(jù)處理速度;

  2. 在行駛過程中,該傳感器能夠以 98% 的準確率檢測和定位車內(nèi)乘員,從而支持座椅安全帶提醒功能;

  3. 使用神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)技術(shù)監(jiān)控車內(nèi)是否有無人看管的兒童,并且能夠?qū)崟r檢測到車內(nèi)微小的動作,分類準確率超過90%;

  4. 通過智能掃描技術(shù)來適應(yīng)不同的環(huán)境,從而減少由于車身晃動和外部物體運動所引起的誤報。

02|納芯微:全橋變壓器驅(qū)動——NSIP3266

  納芯微宣布推出集成晶振與多種保護、支持軟啟動的全橋變壓器驅(qū)動——NSIP3266,提供EP-MSOP8封裝(3.0 x 3.0mm x 0.65mm,帶散熱焊盤)??蓮V泛應(yīng)用于汽車車載充電機(OBC)、牽引逆變器及充電樁、光伏發(fā)電和儲能、服務(wù)器電源等系統(tǒng)中的隔離驅(qū)動供電電路。

TI、Littelfuse、納芯微、上海貝嶺國內(nèi)外半導體大廠新品一覽

NSIP3266采用全橋拓撲設(shè)計

  產(chǎn)品特性:

  1. 支持寬范圍輸入的全橋拓撲,同時憑借巧妙的引腳和功能設(shè)計,極大簡化了隔離驅(qū)動供電電路設(shè)計;

  2. 內(nèi)部集成的晶振電路和RT引腳設(shè)計,使得工程師僅需外接電阻即可完成開關(guān)頻率配置,實現(xiàn)了對MCU控制的解耦,布局更加靈活,

  3. 在MCU故障時依然能夠安全供電,促進了更高的系統(tǒng)安全;

  4. 自帶的軟啟動功能省去了MCU的控制需求,節(jié)省了副邊限流電阻;

  5. 支持6.5V~26V的寬工作電壓,系統(tǒng)電路中不需要額外增加TVS保護管;

  6. 提供欠壓保護、過流保護、過溫保護等諸多保護功能

 

03| Littelfuse:非對稱TVS二極管

  近期,Littelfuse公司宣布推出TPSMB非對稱TVS二極管系列,作為首款上市的非對稱瞬態(tài)電壓抑制(TVS)二極管,專門用于保護汽車應(yīng)用中的碳化硅(SiC)MOSFET柵極驅(qū)動器。

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非對稱TVS二極管產(chǎn)品圖

  該器件能夠滿足下一代電動汽車 (EV) 系統(tǒng)對可靠過壓保護日益增長的需求,提供一種結(jié)構(gòu)緊湊的單元件解決方案,取代了傳統(tǒng)用于柵極驅(qū)動器保護的多個齊納二極管或 TVS 元件。

  產(chǎn)品特性:

  1. 采用DO-214AA(SMB J-Bend)封裝,非常適合空間受限的汽車設(shè)計;

  2. 支持SiC MOSFET不同的正負柵極驅(qū)動器額定電壓,確保在使用 SiC MOSFET的各種苛刻汽車電源應(yīng)用中實現(xiàn)更高性能。

  3. 取代多個齊納或TVS二極管,簡化設(shè)計并減少元件數(shù)量;

  4. 專為保護SiC MOSFET柵極驅(qū)動器而設(shè)計,這些驅(qū)動器需要不同的負電壓和正電壓額定值;

  5. 通過 AEC-Q101 認證,確保為汽車應(yīng)用提供最高可靠性;

  6. 600W 峰值脈沖功率損耗(10×1000μs 波形)可針對瞬態(tài)過壓故障提供強大保護;

  7. 低鉗位電壓:VC<10V@30A(8/20µs),可提供最佳負柵極驅(qū)動保護;

 

04|上海貝嶺:150V SGT MOSFET

  近日,上海貝嶺推出150V SGT MOSFET系列產(chǎn)品。

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貝嶺TOLL-8 封裝圖

  產(chǎn)品特性:

  1. 150V SGT系列產(chǎn)品具有良好的柵極漏電流IGSS性能;

  2. 采用深溝槽、多層外延襯底以及多重浮空環(huán)終端結(jié)構(gòu),使得器件具有極低的導通電阻和較高的漏源間擊穿電壓Vdss;

  3. 采用屏蔽柵極結(jié)構(gòu),器件獲得優(yōu)良的開關(guān)性能,極低的開關(guān)損耗;

  4. 超低導通電阻與低FOM值,優(yōu)良的Rds(on)一致性,適合大功率并聯(lián)場景,導通電阻降幅可高達23%;

  5. 可以提供TO-220,TO-247為代表的插件安裝形式,與TOLL和TO-263-7代表的貼片安裝形式,節(jié)省用戶PCB空間,使客戶產(chǎn)品更具成本優(yōu)勢;

  6. 具有高雪崩能力、低熱阻的特點,在電機應(yīng)用中可以滿足電機短路大電流關(guān)斷的需求。

  應(yīng)用表現(xiàn):

  貝嶺針對大功率電機控制應(yīng)用,基于貝嶺150V SGT產(chǎn)品, 設(shè)計20kW電機控制器驗證平臺,最高可支持96V電池應(yīng)用,控制器實物如圖1所示。貝嶺電機控制器驗證平臺采用疊層設(shè)計,上層為控制級,下層為功率級。功率級布局如圖1右所示,采用TO-263-7封裝,單相5管并聯(lián)。

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圖1(貝嶺150V SGT 電機控制器驗證平臺)

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圖2(功率板卡設(shè)計)

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